[實用新型]太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置

有效

• 申請號: 201320781953.7
• 申請日: 2013-12-03
• 公開（公告）號: CN203688472U
• 公開（公告）日: 2014-07-02
• 發明（設計）人: 鄧金雁;沈劍山;周福云;譚卓鵬;賀冬枚
• 申請（專利權）人: 康達新能源設備股份有限公司
• 主分類號: G01N25/00
• 分類號: G01N25/00
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 譚一兵;曾云騰

1.一種太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置，其特征在于，包括：真空加熱室、探測結構、黑體、溫控結構和處理結構，所述探測結構位于所述真空加熱室的上方，所述黑體位于所述探測結構的一側，所述溫控結構電性連接于所述真空加熱室，所述探測結構和溫控結構分別電性連接于所述處理結構；所述真空加熱室包括真空室和加熱臺，所述加熱臺設于所述真空室的內部，真空室的一側設有真空接口和電氣接口，所述真空接口連接有真空抽氣機組。?

2.根據權利要求1所述的太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置，其特征在于，所述真空室的室壁為水冷結構，所述室壁上設有循環水入口、循環水出口和氟化鈣窗口。?

3.根據權利要求1所述的太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置，其特征在于，所述加熱臺上具有一均熱板，所述均熱板的正下方設有第一熱電偶。?

4.根據權利要求1所述的太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置，其特征在于，所述黑體為空腔式結構，黑體的空腔內設有硅碳加熱板和第二熱電偶，第二熱電偶固定在硅碳板加熱板中心。?

5.根據權利要求1所述的太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置，其特征在于，所述溫控結構包括PID溫度控制器和繼電器。?

6.根據權利要求1所述的太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置，其特征在于，所述探測結構包括探測器、鎖相放大器和數據采集卡，所述探測器位于所述真空室的正上方，所述鎖相放大器電性連接于所述探測器，所述數據采集卡電性連接于所述鎖相放大器。?

7.根據權利要求6所述的太陽能選擇性涂層法向發射率測試裝置，其特征在于，所述探測器的探測端外設有水冷光柵。?