[實用新型]透過波長1700nm以上的火焰探測濾光片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320777760.4
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN203551820U
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 王繼平;呂晶;劉晶
• 申請（專利權(quán)）人: 杭州麥樂克電子科技有限公司
• 主分類號: G02B5/20
• 分類號: G02B5/20
• 代理公司: 杭州斯可睿專利事務(wù)所有限公司 33241
• 代理人: 周豪靖

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及紅外濾光片領(lǐng)域，尤其是一種透過波長1700nm以上的火焰探測濾光片。

背景技術(shù)

在自然界，任何物體在絕對零度(-273度)以上，都有紅外譜線發(fā)出，而每種物質(zhì)都有其特殊的發(fā)射或吸收特征峰。濾光片過濾、截止可見光同時允許特定的紅外線通過。利用帶通紅外濾光片的這種允許物體的特征紅外譜線透過的特性，可以探測出特定物質(zhì)的存在，廣泛應(yīng)用于安防、環(huán)保、工業(yè)、科研等。濾光片的質(zhì)量直接影響探測的精度和靈敏度。由于任何物體都在發(fā)出紅外線，溫度越高，輻射的紅外線越強。在用于火焰探測中紅外濾光片可以通過指定的紅外線，因此對濾光片檢測的要求精度要高。就目前用于火焰探測中的濾光片，檢測精度不高、透過率和信噪比低，精度差，有時候出現(xiàn)誤測的現(xiàn)象，不能滿足市場發(fā)展的需要。

實用新型內(nèi)容

本實用新型的目的是為了解決上述技術(shù)的不足而提供一種峰值透過率高，能極大的提高信噪比，提高火焰探測精度的透過波長1700nm以上的火焰探測濾光片。

為了達到上述目的，本實用新型所設(shè)計的透過波長1700nm以上的火焰探測濾光片，包括以Si為原材料的基板，以Si、SiO2為第一鍍膜層和以Si、SiO2為第二鍍膜層，且所述基板位于第一鍍膜層和第二鍍膜層之間，所述第一鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有：110nm厚度的Si層、64nm厚度的SiO2層、130nm厚度的Si層、156nm厚度的SiO2層、84nm厚度的Si層、253nm厚度的SiO2層、75nm厚度的Si層、227nm厚度的SiO2層、96nm厚度的Si層、182nm厚度的SiO2層、103nm厚度的Si層、217nm厚度的SiO2層、70nm厚度的Si層、267nm厚度的SiO2層、51nm厚度的Si層和514nm厚度的SiO2層；所述第二鍍膜層由內(nèi)向外依次排列包含有：56nm厚度的Si層、57nm厚度的SiO2層、111nm厚度的Si層、108nm厚度的SiO2層、88nm厚度的Si層、103nm厚度的SiO2層、67nm厚度的Si層、106nm厚度的SiO2層、81nm厚度的Si層、169nm厚度的SiO2層、52nm厚度的Si層和494nm厚度的SiO2層。

上述各材料對應(yīng)的厚度，其允許在公差范圍內(nèi)變化，其變化的范圍屬于本專利保護的范圍，為等同關(guān)系。通常厚度的公差在10nm左右。

本實用新型所得到的透過波長1700nm以上的火焰探測濾光片，其T=50%，波長:1700±50nm，在火焰探測過程中，可大大的提高信噪比，提高測試精準度。該濾光片1750～4000nm、Tavg≥92%，400～1100nm、Tavg≤0.5%。

附圖說明

圖1是實施例整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是實施例提供的紅外光譜透過率實測曲線圖。

具體實施方式

下面通過實施例結(jié)合附圖對本實用新型作進一步的描述。

實施例1：

如圖1、圖2所示，本實施例描述的透過波長1700nm以上的火焰探測濾光片，包括以Si為原材料的基板2，以Si、SiO2為第一鍍膜層1和以Si、SiO2為第二鍍膜層3，且所述基板2位于第一鍍膜層1和第二鍍膜層3之間，所述第一鍍膜層1由內(nèi)向外依次排列包含有：110nm厚度的Si層、64nm厚度的SiO2層、130nm厚度的Si層、156nm厚度的SiO2層、84nm厚度的Si層、253nm厚度的SiO2層、75nm厚度的Si層、227nm厚度的SiO2層、96nm厚度的Si層、182nm厚度的SiO2層、103nm厚度的Si層、217nm厚度的SiO2層、70nm厚度的Si層、267nm厚度的SiO2層、51nm厚度的Si層和514nm厚度的SiO2層；所述第二鍍膜層3由內(nèi)向外依次排列包含有：56nm厚度的Si層、57nm厚度的SiO2層、111nm厚度的Si層、108nm厚度的SiO2層、88nm厚度的Si層、103nm厚度的SiO2層、67nm厚度的Si層、106nm厚度的SiO2層、81nm厚度的Si層、169nm厚度的SiO2層、52nm厚度的Si層和494nm厚度的SiO2層。