[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體致冷器晶片厚度檢測裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320766981.1
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN203595477U
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 李水祥;楊紅;鄭美良
• 申請（專利權(quán)）人: 浙江邁特電子有限公司
• 主分類號: G01B5/06
• 分類號: G01B5/06;H01L21/66
• 代理公司: 杭州賽科專利代理事務(wù)所 33230
• 代理人: 余華康

技術(shù)領(lǐng)域

?本實(shí)用新型涉及一種厚度檢測設(shè)備，尤其是一種半導(dǎo)體致冷器晶片厚度檢測裝置。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體致冷器又稱熱電致冷器或溫差電致冷器，是利用特種半導(dǎo)體材料組成P-N結(jié)，通上直流電而達(dá)到制冷目的，屬新型電子元器件范疇，半導(dǎo)體致冷器自六十年代工業(yè)化生產(chǎn)以來，僅限于應(yīng)用于航空、航天、國防以及重大科研項(xiàng)目中，由于其具有安全、環(huán)保、壽命長等特點(diǎn)，國內(nèi)外自七十年代末已逐步用于醫(yī)療器械、小型冷藏箱、電子計算機(jī)、通訊設(shè)備和飲水機(jī)等民用領(lǐng)域，特別是近幾年來，家用飲水機(jī)在國內(nèi)外的廣泛應(yīng)用為半導(dǎo)體致冷器的發(fā)展和應(yīng)用提供了廣闊的前景，使得半導(dǎo)體致冷器的生產(chǎn)及技術(shù)都有了快速發(fā)展；在半導(dǎo)體致冷器生產(chǎn)過程中，需將圓柱狀的半導(dǎo)體材料（碲化鉍）切成圓型晶片，然后切割成細(xì)小的顆粒狀；為了保證半導(dǎo)體致冷器制冷性能的一致性，對半導(dǎo)體致冷器晶片厚度的標(biāo)準(zhǔn)尺寸有公差要求，即厚度不能大于上公差、小于下公差，而且要求每片都要檢測；在現(xiàn)有生產(chǎn)工藝流程中，半導(dǎo)體致冷器晶片的厚度檢驗(yàn)是采用千分尺測量半導(dǎo)體致冷器晶片的十字對角四個點(diǎn)的厚度來判斷是否合格，檢驗(yàn)工作量相當(dāng)大，而且人工操作，繁瑣而勞累，誤差在所難免，效率低下，經(jīng)常造成半導(dǎo)體致冷器合格率達(dá)不到要求。

發(fā)明內(nèi)容

為了解決現(xiàn)有技術(shù)的檢驗(yàn)工作量大、繁瑣勞累，誤差難免、合格率達(dá)不到要求的不足，本實(shí)用新型提供一種半導(dǎo)體致冷器晶片厚度檢測裝置，能快速自動檢測半導(dǎo)體致冷器晶片的厚度，具有檢測準(zhǔn)確度好、輕便快捷、省時省力、效率高的優(yōu)點(diǎn)，可保證半導(dǎo)體致冷器晶片的合格率，從而提高半導(dǎo)體致冷器的合格率。

本實(shí)用新型解決其技術(shù)問題所采用的技術(shù)方案是：一種半導(dǎo)體致冷器晶片厚度檢測裝置，其特征是：它由支架、標(biāo)準(zhǔn)平板、橫桿、上斜桿、下斜桿組成，所述支架為三角形；所述標(biāo)準(zhǔn)平板為矩形，設(shè)置在支架的斜面上；所述橫桿設(shè)置在標(biāo)準(zhǔn)平板的上方，在橫桿與標(biāo)準(zhǔn)平板之間留有間隙，其間隙為半導(dǎo)體致冷器晶片厚度標(biāo)準(zhǔn)尺寸上公差；所述上斜桿設(shè)置在標(biāo)準(zhǔn)平板的中部，在上斜桿與標(biāo)準(zhǔn)平板之間留有間隙，其間隙為半導(dǎo)體致冷器晶片厚度標(biāo)準(zhǔn)尺寸下公差；所述下斜桿設(shè)置在標(biāo)準(zhǔn)平板的下部。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型一種半導(dǎo)體致冷器晶片厚度檢測裝置結(jié)構(gòu)示意圖。

圖2是本實(shí)用新型一種半導(dǎo)體致冷器晶片厚度檢測裝置結(jié)構(gòu)示意圖的A向視圖。

圖1、圖2中，1、標(biāo)準(zhǔn)平板，2、支架，3、橫桿，4、上斜桿，5、下斜桿。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖1、圖2對本實(shí)用新型一種半導(dǎo)體致冷器晶片厚度檢測裝置作進(jìn)一步說明。

圖1、圖2所示的一種半導(dǎo)體致冷器晶片厚度檢測裝置，由支架2、標(biāo)準(zhǔn)平板1、橫桿3、上斜桿4、下斜桿5組成，所述支架2為三角形采用木質(zhì)材料制作，三角形的斜度設(shè)置為45度至60度；所述標(biāo)準(zhǔn)平板1為矩形，采用鋼制材料制作，設(shè)置在支架2的斜面上，標(biāo)準(zhǔn)平板1朝上的一面制成光滑平面，并有足夠的平整度；所述橫桿3設(shè)置在標(biāo)準(zhǔn)平板1的上方，橫桿3與標(biāo)準(zhǔn)平板1相對的一面制成光滑平面，并有足夠的平整度，橫桿3與標(biāo)準(zhǔn)平板1之間留有間隙，其間隙為半導(dǎo)體致冷器晶片厚度標(biāo)準(zhǔn)尺寸的上公差；所述上斜桿4設(shè)置在標(biāo)準(zhǔn)平板1的中部，上斜桿4與標(biāo)準(zhǔn)平板1相對的一面制成光滑平面，并有足夠的平整度，上斜桿4與標(biāo)準(zhǔn)平板之間留有間隙，其間隙為半導(dǎo)體致冷器晶片厚度標(biāo)準(zhǔn)尺寸的下公差；所述下斜桿5設(shè)置在標(biāo)準(zhǔn)平板1的下部，與標(biāo)準(zhǔn)平板1之間沒有間隙。

工作原理：檢驗(yàn)工直接將多塊半導(dǎo)體致冷器晶片放在橫桿3處，小于標(biāo)準(zhǔn)尺寸上公差的半導(dǎo)體致冷器晶片會自動下滑，落到上斜桿4上，橫桿3上不能下滑的半導(dǎo)體致冷器晶片為不合格品，落到上斜桿4上、不能下滑到下斜桿5上的半導(dǎo)體致冷器晶片為合格品，繼續(xù)下滑到下斜桿5上的半導(dǎo)體致冷器晶片為不合格品。

采用本實(shí)用新型一種半導(dǎo)體致冷器晶片厚度檢測裝置檢測半導(dǎo)體致冷器晶片，現(xiàn)有技術(shù)比較，省時省力、檢測速度快、效率高，減輕了勞動強(qiáng)度，半導(dǎo)體致冷器晶片均在可控尺寸范圍內(nèi)，提高了半導(dǎo)體致冷器的合格率。

????需要特別指出的是，上述實(shí)施例的方式僅限于描述本實(shí)施例，但本實(shí)用新型不止局限于上述方式，且本領(lǐng)域的技術(shù)人員據(jù)此可在不脫離本實(shí)用新型的范圍內(nèi)方便的進(jìn)行修飾，因此本實(shí)用新型的范圍應(yīng)當(dāng)包括本實(shí)用新型所揭示的原理和新特征的最大范圍。