[實用新型]一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置

有效

• 申請號: 201320766981.1
• 申請日: 2013-11-29
• 公開（公告）號: CN203595477U
• 公開（公告）日: 2014-05-14
• 發明（設計）人: 李水祥;楊紅;鄭美良
• 申請（專利權）人: 浙江邁特電子有限公司
• 主分類號: G01B5/06
• 分類號: G01B5/06;H01L21/66
• 代理公司: 杭州賽科專利代理事務所 33230
• 代理人: 余華康

1.一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置，其特征是：它由支架、標準平板、橫桿、上斜桿、下斜桿組成，所述支架為三角形；所述標準平板為矩形，設置在支架的斜面上；所述橫桿設置在標準平板的上方，在橫桿與標準平板之間留有間隙，其間隙為半導體致冷器晶片厚度標準尺寸上公差；所述上斜桿設置在標準平板的中部，在上斜桿與標準平板之間留有間隙，其間隙為半導體致冷器晶片厚度標準尺寸下公差；所述下斜桿設置在標準平板的下部。

2.根據權利要求1所說的一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置，其特征是：所述支架三角形的斜度設置為45度至60度。

3.根據權利要求1所說的一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置，其特征是：所述標準平板（1）朝上的一面制成光滑平面，并有足夠的平整度。

4.根據權利要求1所說的一種半導體致冷器晶片厚度檢測裝置，其特征是：所述橫桿（3）、上斜桿（4）與標準平板（1）相對的一面均制成光滑平面，并有足夠的平整度。