[實用新型]一種用于集成電路的銅保險絲有效
| 申請號: | 201320751643.0 | 申請日: | 2013-11-25 |
| 公開(公告)號: | CN203644777U | 公開(公告)日: | 2014-06-11 |
| 發明(設計)人: | 葉文冠 | 申請(專利權)人: | 葉文冠;綠亞電子(泉州)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H01L23/525 |
| 代理公司: | 廈門市首創君合專利事務所有限公司 35204 | 代理人: | 傅家強 |
| 地址: | 中國臺灣高雄*** | 國省代碼: | 中國臺灣;71 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 集成電路 保險絲 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種用于集成電路的銅保險絲。?
背景技術
在半導體工藝的設計規則邁入0.18μm或以下的尺寸之際,為了克服RC延遲的問題,在金屬化的工藝部分已逐漸有利用電阻較小的銅金屬來取代其他金屬,以作為半導體工藝金屬化材料的趨勢。然而,由于銅極易與空氣中的氧氣反應,而在銅表面形成一薄氧化物層,造成電性接觸上的問題,使得在現今的設計規則下,銅材質難以如同鋁金屬般應用在保險絲的設計上。?
實用新型內容
本實用新型的主要目的是克服現有技術的缺點,提供一種可防止銅金屬焊墊氧化,且可有效降低RC延遲的用于集成電路的銅保險絲。?
本實用新型采用如下技術方案:?
一種用于集成電路的銅保險絲,包括有形成于一半導體基底上的兩銅金屬焊墊及一金屬線,所述兩銅金屬焊墊藉由該金屬線電性連接,形成保險絲結構。?
進一步地,所述金屬線材質是鋁。?
進一步地,所述金屬線與兩銅金屬焊墊間包括一阻障層。?
進一步地,所述阻障層是氮化鉭。?
進一步地,所述兩銅金屬焊墊之間通過一介電材料層隔開,使兩銅金屬焊墊電性絕緣。?
進一步地,所述一種用于集成電路的銅保險絲還包括一保護層,形成于所述半導體基底上,并覆蓋兩銅金屬焊墊,該保護層形成有一可暴露出兩銅金屬焊墊一部分的開口。?
進一步地,所述金屬線覆蓋所述保護層開口與兩銅金屬焊墊電性連接,以使兩銅金屬焊墊與空氣隔絕。?
由上述對本實用新型的描述可知,與現有技術相比,本實用新型具有如下有益效果:銅金屬焊墊上覆蓋有保護層與金屬線,使銅金屬焊墊與空氣隔絕,可防止銅金屬焊墊氧化,而采用銅金屬焊墊制成保險絲,可有效降低RC延遲。?
附圖說明
圖1是本實用新型具體實施方式的銅保險絲的剖面圖;?
圖2是圖1的俯視圖,其中I-I切面的剖面結構如圖1所示。?
圖中:1.銅金屬焊墊,2.金屬線,3.保護層,4.開口,5.阻障層,6.介電材料層。?
具體實施方式
以下通過具體實施方式對本實用新型作進一步的描述。?
參照圖1和圖2,本實用新型的一種用于集成電路的銅保險絲,包括有形成于一半導體基底上的兩銅金屬焊墊1、一金屬線2及一保護層3,所述兩銅金屬焊墊1藉由該金屬線2電性連接,形成保險絲結構。所述保護層3覆蓋兩銅金屬焊墊1,且形成有一可暴露出兩銅金屬焊墊1一部分的開口4。所述金屬線2覆蓋所述保護層3開口4與兩銅金屬焊墊1電性連接,以使兩銅金屬焊墊1與空氣隔絕。?
參照圖1和圖2,所述金屬線2材質是鋁。所述金屬線2與兩銅金屬焊墊1間包括一阻障層5。所述阻障層5是氮化鉭。所述兩銅金屬焊墊1之間通過一介電材料層6隔開,使兩銅金屬焊墊1電性絕緣。?
上述僅為本實用新型的一個具體實施方式,但本實用新型的設計構思并不局限于此,凡利用此構思對本實用新型進行非實質性的改動,均應屬于侵犯本實用新型保護范圍的行為。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于葉文冠;綠亞電子(泉州)有限公司,未經葉文冠;綠亞電子(泉州)有限公司許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320751643.0/2.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
- 上一篇:半導體精細圖案的形成方法
- 下一篇:隔離開關
- 同類專利
- 專利分類
H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





