[實用新型]用于銅片預氧化的陶瓷支架

有效

• 申請號: 201320746191.7
• 申請日: 2013-11-22
• 公開（公告）號: CN203674184U
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發明（設計）人: 祝林;賀賢漢
• 申請（專利權）人: 上海申和熱磁電子有限公司
• 主分類號: H01L21/673
• 分類號: H01L21/673
• 代理公司: 上海順華專利代理有限責任公司 31203
• 代理人: 沈履君

技術領域

本實用新型屬于半導體制造、LED、光通訊領域，特別是一種用于銅片預氧化的陶瓷支架。

背景技術

直接覆銅陶瓷基板（DBC基板）燒結前，銅片都需要經過預氧化工藝處理。目前常用銅片預氧化工藝為直接將銅片放在傳送帶上在氧化氣氛中進行預氧化。由于銅片與傳送帶直接接觸，銅片基本上處于單面氧化狀態。銅片與傳送帶接觸處會氧化不足、同時污染了銅片表面，影響了產品表面晶粒粗糙度和外觀質量，芯片焊接和表面打線性能也下降。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種改善產品表面晶粒，提高產品良品率的用于銅片預氧化的陶瓷支架。

為解決上述技術問題，本實用新型用于銅片預氧化的陶瓷支架，陶瓷片本體，在所述陶瓷片本體的兩端設有陶瓷折彎部；銅箔，所述銅箔貼合在所述陶瓷片本體及所述陶瓷折彎部的內表面，所述銅箔的中心線與所述陶瓷片本體與所述陶瓷折彎部連接處的折痕重合。

所述陶瓷折彎部垂直于所述陶瓷片本體。所述陶瓷片本體及所述陶瓷折彎部的厚度為0.635毫米。所述銅箔的厚度為0.1毫米～0.4毫米。

本實用新型用于銅片預氧化的陶瓷支架將銅片直接放在傳送帶上單面預氧化改為將銅片放在支架上氧化，使銅片與傳送帶之間有一定懸空度，保證了氧氣的流動順暢，使得銅片雙面氧化均勻。改善了產品燒結后表面晶粒狀態，粗糙度均勻。本實用新型用于銅片預氧化的陶瓷支架采用Al2O3的陶瓷片和銅箔作為治具的制作材料，用DBC方法進行制作，治具結構簡單、耐用。

附圖說明

圖1為本實用新型用于銅片預氧化的陶瓷支架結構示意圖；

圖2為本實用新型用于銅片預氧化的陶瓷支架使用示意圖。

本實用新型用于銅片預氧化的陶瓷支架附圖中附圖標記說明：

1-陶瓷片本體??????2-陶瓷折彎部??????3-銅箔

4-傳送帶??????????5-待氧化銅片??????6-陶瓷支架

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型用于銅片預氧化的陶瓷支架作進一步詳細說明。

如圖1所示，本實用新型用于銅片預氧化的陶瓷支架，首先用138毫米×188毫米×0.635毫米的陶瓷基片，在其表面覆上0.1毫米～0.4毫米的銅箔3。用圖形轉移和腐蝕工藝將陶瓷基片圖形蝕刻出來。用激光切割機按特定的寬度將陶瓷基片切成單個長條形。沿著銅箔3中心將長條形陶瓷基片兩端折成90度，形成陶瓷片本體1以及設置在陶瓷片本體1兩端的陶瓷折彎部2。

如圖2所示，將兩個陶瓷支架6面對面放在傳送帶4上，再將需預氧化銅片5放在陶瓷支架6上即可進行銅片預氧化工藝。

本實用新型用于銅片預氧化的陶瓷支架將銅片直接放在傳送帶上單面預氧化改為將銅片放在支架上氧化，使銅片與傳送帶之間有一定懸空度，保證了氧氣的流動順暢，使得銅片雙面氧化均勻。改善了產品燒結后表面晶粒狀態，粗糙度均勻。本實用新型用于銅片預氧化的陶瓷支架采用Al2O3的陶瓷片和銅箔作為治具的制作材料，用DBC方法進行制作，治具結構簡單、耐用。

以上已對本實用新型創造的較佳實施例進行了具體說明，但本實用新型創造并不限于所述實施例，熟悉本領域的技術人員在不違背本實用新型創造精神的前提下還可作出種種的等同的變型或替換，這些等同的變型或替換均包含在本申請權利要求所限定的范圍內。