[實用新型]用于銅片預氧化的陶瓷支架有效
| 申請號： | 201320746191.7 | 申請日： | 2013-11-22 |
| 公開（公告）號： | CN203674184U | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發明（設計）人： | 祝林;賀賢漢 | 申請（專利權）人： | 上海申和熱磁電子有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/673 | 分類號： | H01L21/673 |
| 代理公司： | 上海順華專利代理有限責任公司 31203 | 代理人： | 沈履君 |
| 地址： | 200444 上海市寶*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 用于 銅片 氧化 陶瓷 支架 | ||
【權利要求書】：
1.用于銅片預氧化的陶瓷支架，其特征在于，包括：
陶瓷片本體，在所述陶瓷片本體的兩端設有陶瓷折彎部；
銅箔，所述銅箔貼合在所述陶瓷片本體及所述陶瓷折彎部的內表面，所述銅箔的中心線與所述陶瓷片本體與所述陶瓷折彎部連接處的折痕重合。
2.根據權利要求1所述的用于銅片預氧化的陶瓷支架，其特征在于，所述陶瓷折彎部垂直于所述陶瓷片本體。
3.根據權利要求1所述的用于銅片預氧化的陶瓷支架，其特征在于，所述陶瓷片本體及所述陶瓷折彎部的厚度為0.635毫米。
4.根據權利要求1所述的用于銅片預氧化的陶瓷支架，其特征在于，所述銅箔的厚度為0.1毫米～0.4毫米。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
