[實(shí)用新型]一種大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)的感應(yīng)線圈

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320740351.7
• 申請(qǐng)日: 2013-11-20
• 公開（公告）號(hào): CN203546207U
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 段聰;趙梅玉;高宇;鄧樹軍;陶瑩
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 河北同光晶體有限公司
• 主分類號(hào): C30B29/36
• 分類號(hào): C30B29/36;C30B35/00
• 代理公司: 北京輕創(chuàng)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11212
• 代理人: 楊立

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種感應(yīng)圈,具體涉及一種大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)的感應(yīng)線圈。

背景技術(shù)

碳化硅生長(zhǎng)過程中需要2200度以上的高溫，并且要求溫度要滿足一定的梯度，目前PVT法多用感應(yīng)加熱實(shí)現(xiàn)，線圈采用單股矩形銅管彎制而成，可以實(shí)現(xiàn)快速加熱。一般的大尺寸感應(yīng)加熱線圈溫場(chǎng)不夠細(xì)分，水路焊點(diǎn)較多，線圈間隙并不均勻，難以生長(zhǎng)高品質(zhì)大尺寸的碳化硅晶體。

實(shí)用新型內(nèi)容

為解決上述問題,本實(shí)用新型提供一種大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)的感應(yīng)線圈。

本實(shí)用新型解決上述技術(shù)問題的技術(shù)方案如下：一種大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)的感應(yīng)線圈，包括線圈1和水路接頭2；所述線圈1為橫截面是矩形的多層螺旋盤管狀；所述水路接頭2有兩個(gè)分別焊接在所述線圈1兩端的伸出部分。

進(jìn)一步，所述線圈1橫截面矩形的長(zhǎng)寬比例1:2，所述線圈1橫截面矩形的寬邊與坩堝的外表面平行；所述線圈1層與層之間的間距為5mm；所述水路接頭2為S形狀。

本實(shí)用新型的有益效果是：提供一種可以生長(zhǎng)高品質(zhì)大尺寸的碳化硅晶體。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型整體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為傳統(tǒng)線圈結(jié)構(gòu)示意圖。

附圖中，各標(biāo)號(hào)所代表的部件列表如下：

1、線圈，2、水路接頭，3、焊點(diǎn)。

具體實(shí)施方式

以下結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型的原理和特征進(jìn)行描述，所舉實(shí)例只用于解釋本實(shí)用新型，并非用于限定本實(shí)用新型的范圍。

如圖1所示，一種大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)的感應(yīng)線圈，包括線圈1和水路接頭2；大尺寸碳化硅晶體尺寸在4寸到6寸之間;所述線圈1為橫截面是矩形的多層螺旋盤管狀；所述水路接頭2有兩個(gè)分別焊接在所述線圈1兩端的伸出部分，所述水路接頭2引入溫度控制在28攝氏度到32攝氏度范圍內(nèi)的溫水進(jìn)入線圈1內(nèi)；所述線圈1橫截面矩形的長(zhǎng)寬比例1:2，線圈1層與層之間的間距為5mm；如圖2所示，傳統(tǒng)感應(yīng)線圈橫截面矩形的長(zhǎng)正對(duì)坩堝外表面，本實(shí)用新型所述大尺寸碳化硅晶體生長(zhǎng)的感應(yīng)線圈1橫截面矩形的寬邊與坩堝的外表面平行，這樣可以達(dá)到當(dāng)總高度H不變時(shí)線圈1的匝數(shù)增加了，使內(nèi)部溫場(chǎng)更加均勻；所述水路接頭2為S形狀，與傳統(tǒng)感應(yīng)線圈的水路接頭相比比減少了焊點(diǎn)3和水阻，使得加熱時(shí)溫場(chǎng)分布均勻，坩堝移動(dòng)時(shí)內(nèi)部溫場(chǎng)變化連續(xù)并且均勻平滑。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。