[實用新型]厚膜混合集成電路模塊有效
| 申請號: | 201320739622.7 | 申請日: | 2013-11-20 |
| 公開(公告)號: | CN203536437U | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發明(設計)人: | 劉國慶 | 申請(專利權)人: | 威科電子模塊(深圳)有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/01 | 分類號: | H01L27/01 |
| 代理公司: | 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228 | 代理人: | 張志醒 |
| 地址: | 518000 廣*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 混合 集成電路 模塊 | ||
技術領域
本實用新型涉及厚膜電路,尤其涉及一種混合集成電路模塊。
背景技術
厚膜混合集成電路是一種微型電子功能部件,它是利用用絲網印刷和燒結等厚膜工藝在同一基片上制作無源網絡,并在其上組裝分立的半導體器件芯片或單片集成電路或微型元件,再外加封裝而成的混合集成電路。
而無源網絡把厚膜漿料倒在絲網上,用刮板把漿料壓入網孔,漏印在基片上所形成,該無源網絡中一般都包含有厚膜電阻,而厚膜電阻在形成之后還需要進行燒結、激光調阻等,其中,激光調阻即使通過激光切割將各個厚膜電阻的電阻值調整至符合要求的值。在激光調阻過程中,一般是將整個陶瓷板放入激光調阻設備中,每片陶瓷板上具有多個同樣的厚膜混合集成電路模塊,每個厚膜混合集成電路模塊上的厚膜電阻都需要進行調整。在陶瓷板放入激光調阻設備的治具上時,需要對陶瓷板進行定位,現有技術中采用陶瓷板的外邊緣進行定位,這種定位方式,由于陶瓷板的尺寸存在誤差,所以每一塊陶瓷板在治具上的位置存在誤差,如此,在激光調阻過程中,不同陶瓷板上厚膜電阻上的激光調阻切槽位置不一致,即各個厚膜混合集成電路模塊上的激光調阻切槽的一致性較差。此外,激光調阻切槽一般為“L”形或“一”字型,在其尖端位置容易出現尖端放電,造成耐壓性較低。
實用新型內容
本實用新型的目的在于克服現有技術中的不足而提供的一種帶有“L”形厚膜電阻的厚膜混合集成電路模塊,可通過“L”形厚膜電阻作為定位,使得各個厚膜混合集成電路模塊上的激光調阻切槽一致性更好。
本實用新型解決現有技術問題所采用的技術方案是:一種厚膜混合集成電路模塊,它包括陶瓷基板及印制在陶瓷基板上的無源網絡,其改進在于:所述無源網絡中包含多個外形呈“一”字形的一”字形厚膜電阻及一個外形呈“L”形的“L”形厚膜電阻;
所述“L”形厚膜電阻包括一體成型的第一電阻部及第二電阻部,所述第一電阻部與第二電阻部垂直連接形成的“L”形電阻體,所述“L”形電阻體的兩端分別連接一電極;
所述第一電阻部上設有激光調阻切槽A,所述第二電阻部上設有激光調阻切槽B。
下面對上述技術方案作進一步闡述:
進一步的,所述激光調阻切槽A及激光調阻切槽B呈“一”字形;所述激光調阻切槽A與所述第一電阻部垂直,所述激光調阻切槽B與所述第二電阻部垂直。
進一步的,所述“L”形厚膜電阻設置于所述陶瓷基板上靠近邊緣或邊角的位置。
進一步的,所述“一”字形厚膜電阻包括“一”字形電阻體及設置于“一”字形電阻體兩端的電極,所述電阻體上設置激光調阻切槽C。
進一步的,所述激光調阻切槽C呈“U”形。
本實用新型的有益效果是:其一、本實用新型提供的厚膜混合集成電路模塊,由于其上設置有“L”形厚膜電阻,在激光調阻過程中,可通過該“L”形厚膜電阻進行定位,具體的,由于每個厚膜混合集成電路模塊上的“L”形厚膜電阻位置是相同的,所以可利用“L”形厚膜電阻上的激光調阻切槽A與激光調阻切槽B作為定位參照,再去對其他厚膜電阻進行調阻,如此,每個厚膜混合集成電路模塊上其他厚膜電阻上的激光調阻切槽位置能夠保持一致,即可使得各個厚膜混合集成電路模塊上激光調阻切槽的一致性更好;其二、“一”字形厚膜電阻上激光調阻切槽C呈“U”形,相對于技術中的L形或一字型切槽,不會產生尖端放電等問題,可提高厚膜電阻的耐壓值。
附圖說明
圖1是本實用新型實施例的整體結構示意圖;
圖2是圖1中A處的局部放大圖;
圖3是本實用新型實施例中“一”字形厚膜電阻的結構示意圖;
圖4是具有多個本實用新型厚膜混合集成電路模塊的陶瓷板。
本實用新型目的的實現、功能特點及優點將結合實施例,參照附圖做進一步說明。
具體實施方式
以下將結合附圖及具體實施例詳細說明本實用新型的技術方案,以便更清楚、直觀地理解本實用新型的發明實質。
參照圖1所示,本實用新型提供了一種厚膜混合集成電路模塊100,它包括陶瓷基板10及印制在陶瓷基板10上的無源網絡,所述無源網絡中包含多個外形呈“一”字形的“一”字形厚膜電阻20及一個外形呈“L”形的“L”形厚膜電阻30。該“L”形厚膜電阻30包括一體成型的第一電阻部301及第二電阻部302,所述第一電阻部301與第二電阻部302垂直連接形成的“L”形電阻體,所述“L”形電阻體的兩端分別連接一電極303;所述第一電阻部301上設有激光調阻切槽A3011,所述第二電阻部302上設有激光調阻切槽B3021。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





