[實用新型]厚膜混合集成電路模塊有效
| 申請號： | 201320739622.7 | 申請日： | 2013-11-20 |
| 公開（公告）號： | CN203536437U | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發明（設計）人： | 劉國慶 | 申請（專利權）人： | 威科電子模塊（深圳）有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/01 | 分類號： | H01L27/01 |
| 代理公司： | 廣州市南鋒專利事務所有限公司 44228 | 代理人： | 張志醒 |
| 地址： | 518000 廣*** | 國省代碼： | 廣東;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 混合 集成電路 模塊 | ||
【權利要求書】：
1.一種厚膜混合集成電路模塊，它包括陶瓷基板及印制在陶瓷基板上的無源網絡，其特征在于：所述無源網絡中包含多個外形呈“一”字形的“一”字形厚膜電阻及一個外形呈“L”形的“L”形厚膜電阻；
所述“L”形厚膜電阻包括一體成型的第一電阻部及第二電阻部，所述第一電阻部與第二電阻部垂直連接形成的“L”形電阻體，所述“L”形電阻體的兩端分別連接一電極；
所述第一電阻部上設有激光調阻切槽A，所述第二電阻部上設有激光調阻切槽B。
2.根據權利要求1所述厚膜混合集成電路模塊，其特征在于：所述激光調阻切槽A及激光調阻切槽B呈“一”字形；所述激光調阻切槽A與所述第一電阻部垂直，所述激光調阻切槽B與所述第二電阻部垂直。
3.根據權利要求1或2所述的厚膜混合集成電路模塊，其特征在于：所述“L”形厚膜電阻設置于所述陶瓷基板上靠近邊緣或邊角的位置。
4.根據權利要求1所述的厚膜混合集成電路模塊，其特征在于：所述“一”字形厚膜電阻包括“一”字形電阻體及設置于“一”字形電阻體兩端的電極，所述電阻體上設置激光調阻切槽C。
5.根據權利要求4所述的厚膜混合集成電路模塊，其特征在于：所述激光調阻切槽C呈“U”形。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
