[實用新型]一種移位寄存器單元、柵極驅(qū)動裝置和顯示裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320732863.9 | 申請日： | 2013-11-19 |
| 公開（公告）號： | CN203552663U | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 金慧俊;敦棟梁;徐鑫;邵琬童;陳晨 | 申請（專利權(quán)）人： | 上海中航光電子有限公司;天馬微電子股份有限公司 |
| 主分類號： | G09G3/36 | 分類號： | G09G3/36;G11C19/28 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 201108 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 移位寄存器 單元 柵極 驅(qū)動 裝置 顯示裝置 | ||
1.一種移位寄存器單元，包括輸入端、輸出端、第一信號線、第一晶體管和第二晶體管，其中，所述第一信號線作為所述第一晶體管和所述第二晶體管的柵極。
2.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述第一晶體管和所述第二晶體管的漏極均電連接于第一電平輸出端，以接收第一電平信號。
3.如權(quán)利要求1所述的移位寄存器單元，其特征在于，還包括上拉晶體管，所述第一晶體管的源極電連接于所述上拉晶體管的柵極，所述上拉晶體管的柵極通過所述第一晶體管接收第一電平信號；所述第二晶體管的源極電連接于所述輸出端，以將所述第一電平信號傳輸給所述輸出端。
4.如權(quán)利要求3所述的移位寄存器單元，其特征在于，還包括上拉驅(qū)動管，其中，起始信號線作為所述上拉驅(qū)動管的柵極，所述上拉驅(qū)動管的源極電連接于第二電平信號端，漏極電連接于所述上拉晶體管的柵極。
5.如權(quán)利要求4所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述第二電平信號端輸出第二電平信號，所述第二電平信號為高電平信號。
6.如權(quán)利要求2或3任一項所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述第一電平信號為低電平信號。
7.如權(quán)利要求3所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述上拉晶體管均為N型MOS管。
8.如權(quán)利要求3所述的移位寄存器單元，其特征在于，所述第一晶體管、所述第二晶體管和所述上拉晶體管的寬度小于等于150um。
9.一種柵極驅(qū)動裝置，包括多級如權(quán)利要求1至8中任一項所述的移位寄存器單元；其中，除第一級移位寄存器之外，其余每個移位寄存器的輸入端均和上一級移位寄存器的輸出端電連接。
10.一種顯示裝置，包括如權(quán)利要求1至8中任一項所述的移位寄存器單元。
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