[實(shí)用新型]新型QFN引線框架

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320723555.X
• 申請(qǐng)日: 2013-11-13
• 公開（公告）號(hào): CN203674197U
• 公開（公告）日: 2014-06-25
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 康亮;楊建斌
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 天水華洋電子科技股份有限公司
• 主分類號(hào): H01L23/495
• 分類號(hào): H01L23/495
• 代理公司: 南昌新天下專利商標(biāo)代理有限公司 36115
• 代理人: 謝德珍

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體芯片封裝領(lǐng)域，具體為一種新型QFN（方形扁平無外引腳封裝）引線框架。

背景技術(shù)

目前國內(nèi)本土封裝企業(yè)仍以DIP、SOP、QFP等形式為主，總體來說，國內(nèi)企業(yè)的引線框架產(chǎn)品多用于分立器件和中低檔IC的封裝，集成電路用引線框架所占比率相對(duì)較少，目前呈現(xiàn)出向中高檔形式如QFN發(fā)展的趨勢(shì)，QFN引線框架由于具有良好的導(dǎo)電和散熱性能、體積小、重量輕，非常適合應(yīng)用在手機(jī)、數(shù)碼相機(jī)、PDA以及其它便攜小型電子設(shè)備的高密度印刷電路板上，隨著QFN應(yīng)用的快速增長，高性能的QFN產(chǎn)品，必將會(huì)在國內(nèi)外IC封裝測(cè)試市場中贏得良好的收益，而QFN引線框架塑封體與引線框架之間的附著強(qiáng)度決定了QFN封裝的可靠性，從而影響著芯片的穩(wěn)定性。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題在于提供一種新型QFN引線框架，以解決上述背景技術(shù)中的缺點(diǎn)。

本實(shí)用新型所解決的技術(shù)問題采用以下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)：

新型QFN引線框架，包括框架基體、基島區(qū)、連接腳、引線管腳、芯片，所述基島區(qū)位于所述框架基體內(nèi)部中心，基島區(qū)通過所述連接腳與框架基體連接，所述引線管腳分布于基島區(qū)的外圍并與框架基體連接，所述芯片安裝于基島區(qū)的中心位置，所述引線管腳在QFN封裝體內(nèi)通過內(nèi)部引線與基島區(qū)的芯片電極連接，所述引線管腳表面與基島區(qū)芯片連接的區(qū)域內(nèi)蝕刻有凹槽。

上述新型QFN引線框架中，優(yōu)選的，所述引線管腳上的凹槽位于引線管腳的邊緣，形成圍住引線管腳與基島區(qū)芯片連接區(qū)域的缺槽。

上述新型QFN引線框架中，優(yōu)選的，基島區(qū)表面安裝芯片的外圍蝕刻有包圍芯片的凹槽，所述連接腳上蝕刻有凹槽，連接腳上的凹槽與基島區(qū)凹槽連通。

上述新型QFN引線框架中，優(yōu)選的，基島區(qū)芯片外圍蝕刻的凹槽位于基島區(qū)的邊緣，在基島區(qū)的邊緣形成圍住基島區(qū)的缺槽，連接腳上的凹槽沿凹槽的寬度方向擴(kuò)寬至連接腳的邊緣，在連接腳上形成比基島區(qū)低的平臺(tái)，基島區(qū)的缺槽經(jīng)連接腳上的平臺(tái)延伸至框架基體。

上述新型QFN引線框架中，優(yōu)選的，所述引線管腳表面與基島區(qū)連接的區(qū)域外蝕刻有凹孔。

上述新型QFN引線框架中，優(yōu)選的，所述引線管腳表面與基島區(qū)連接的區(qū)域外蝕刻的凹孔為橢圓形。

上述新型QFN引線框架中，優(yōu)選的，所述框架基體、基島區(qū)、連接腳、引線管腳材料均采用鎳錫銅合金。

有益效果：本實(shí)用新型導(dǎo)電能力強(qiáng)、接觸電阻穩(wěn)定、耐腐蝕、可靠性高，彈性能力強(qiáng)，通過基島外圍及引線管腳邊緣蝕刻的凹槽，使封裝時(shí)塑封料填充在凹槽內(nèi)，有效增加了塑封料與引線框架的附著強(qiáng)度，提高了QFN封裝的可靠性及芯片的穩(wěn)定性。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型較佳實(shí)施例的示意圖。

圖中：框架基體1、基島區(qū)2、連接腳3、引線管腳4、芯片5、內(nèi)部引線6、基島區(qū)缺槽7、連接腳凹槽8、凹孔9、引線管腳缺槽10。

具體實(shí)施方式

為了使本實(shí)用新型實(shí)現(xiàn)的技術(shù)手段、創(chuàng)作特征、達(dá)成目的與功效易于明白了解，下面結(jié)合具體圖示，進(jìn)一步闡述本實(shí)用新型。

參見圖1的新型QFN引線框架，包括框架基體1、基島區(qū)2、連接腳3、引線管腳4、芯片5，基島區(qū)2位于框架基體1內(nèi)部中心，基島區(qū)2通過連接腳3與框架基體1連接，引線管腳4分布于基島區(qū)2的外圍并與框架基體1連接，芯片5安裝于基島區(qū)2的中心位置，引線管腳4在QFN封裝體內(nèi)通過內(nèi)部引線6與基島區(qū)2的芯片5電極連接，引線管腳4表面與基島區(qū)2芯片5連接的區(qū)域邊緣蝕刻有引線管腳缺槽10。

基島區(qū)2表面安裝芯片5的外圍蝕刻有包圍芯片5的凹槽，連接腳3上蝕刻有連接腳凹槽8，連接腳凹槽8與基島區(qū)的凹槽連通。

優(yōu)選的，基島區(qū)凹槽位于基島區(qū)2的邊緣，在基島區(qū)2的邊緣形成圍住基島區(qū)2的基島區(qū)缺槽7，連接腳凹槽8沿凹槽的寬度方向擴(kuò)寬至連接腳3的邊緣，在連接腳3上形成比基島區(qū)2低的平臺(tái)，基島區(qū)缺槽7經(jīng)連接腳3上的平臺(tái)式連接腳凹槽8延伸至框架基體1。

優(yōu)選的，引線管腳4表面與基島區(qū)2連接的區(qū)域外蝕刻有橢圓形凹孔9。

優(yōu)選的，框架基體1、基島區(qū)2、連接腳3、引線管腳4材料均采用鎳錫銅合金。

以上顯示和描述了本實(shí)用新型的基本原理、主要特征和本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解，本實(shí)用新型不受上述實(shí)施例的限制，上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本實(shí)用新型的原理，在不脫離本實(shí)用新型精神和范圍的前提下，本實(shí)用新型還會(huì)有各種變化和改進(jìn)，這些變化和改進(jìn)都落入要求保護(hù)的本實(shí)用新型范圍內(nèi)。本實(shí)用新型要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書及其等效物界定。?