[實(shí)用新型]新型QFN引線框架有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320723555.X | 申請(qǐng)日： | 2013-11-13 |
| 公開（公告）號(hào)： | CN203674197U | 公開（公告）日： | 2014-06-25 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 康亮;楊建斌 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 天水華洋電子科技股份有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L23/495 | 分類號(hào)： | H01L23/495 |
| 代理公司： | 南昌新天下專利商標(biāo)代理有限公司 36115 | 代理人： | 謝德珍 |
| 地址： | 741020 甘肅省*** | 國省代碼： | 甘肅;62 |
| 權(quán)利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 新型 qfn 引線 框架 | ||
1.新型QFN引線框架，其特征在于，包括框架基體、基島區(qū)、連接腳、引線管腳、芯片，所述基島區(qū)位于所述框架基體內(nèi)部中心，基島區(qū)通過所述連接腳與框架基體連接，所述引線管腳分布于基島區(qū)的外圍并與框架基體連接，所述芯片安裝于基島區(qū)的中心位置，所述引線管腳在QFN封裝體內(nèi)通過內(nèi)部引線與基島區(qū)的芯片電極連接，所述引線管腳表面與基島區(qū)芯片連接的區(qū)域內(nèi)蝕刻有凹槽。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型QFN引線框架，其特征在于，基島區(qū)表面安裝芯片的外圍蝕刻有包圍芯片的凹槽，所述連接腳上蝕刻有凹槽，連接腳上的凹槽與基島區(qū)凹槽連通。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的新型QFN引線框架，其特征在于，基島區(qū)芯片外圍蝕刻的凹槽位于基島區(qū)的邊緣，在基島區(qū)的邊緣形成圍住基島區(qū)的缺槽，連接腳上的凹槽沿凹槽的寬度方向擴(kuò)寬至連接腳的邊緣，在連接腳上形成比基島區(qū)低的平臺(tái)，基島區(qū)的缺槽經(jīng)連接腳上的平臺(tái)延伸至框架基體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型QFN引線框架，其特征在于，所述引線管腳表面與基島區(qū)連接的區(qū)域外蝕刻有凹孔。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的新型QFN引線框架，其特征在于，所述引線管腳表面與基島區(qū)連接的區(qū)域外蝕刻的凹孔為橢圓形。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型QFN引線框架，其特征在于，所述引線管腳上的凹槽位于引線管腳的邊緣，形成圍住引線管腳與基島區(qū)芯片連接區(qū)域的缺槽。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的新型QFN引線框架，其特征在于，所述框架基體、基島區(qū)、連接腳、引線管腳材料均采用鎳錫銅合金。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息，商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于天水華洋電子科技股份有限公司，未經(jīng)天水華洋電子科技股份有限公司許可，擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作，請(qǐng)聯(lián)系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320723555.X/1.html，轉(zhuǎn)載請(qǐng)聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
