[實(shí)用新型]一種點(diǎn)式矩陣LED集成封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320720655.7
• 申請(qǐng)日: 2013-11-15
• 公開（公告）號(hào): CN203607401U
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 鄭劍飛;蔡良晨;邱華飛
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 廈門多彩光電子科技有限公司
• 主分類號(hào): H01L25/075
• 分類號(hào): H01L25/075;H01L33/54;H01L33/62
• 代理公司: 泉州市誠(chéng)得知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 35209
• 代理人: 李伊飏

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種LED的封裝結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)

隨著科技的發(fā)展，LED燈憑借發(fā)光效率高、低電耗、不需高壓、壽命長(zhǎng)、輻射低、安全性高等優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用在各種照明領(lǐng)域。

目前國(guó)內(nèi)外白光LED集成封裝普遍采用的方法是在完成芯片的封裝后直接把熒光粉通過配上專業(yè)膠水噴涂或平涂在芯片上。但是由于芯片發(fā)光角度的限制，經(jīng)常會(huì)產(chǎn)生光斑。

另外，現(xiàn)有的LED集成光源是由多顆芯片串聯(lián)封裝在一片金屬底座上，由于芯片過于密集，熱源過于集中，熱阻大散熱不良，發(fā)光效率較低。同時(shí)，每串聯(lián)芯片中若有一顆失效，則整個(gè)串聯(lián)電路將會(huì)失效。

為此，為了克服上述問題，提出新的改進(jìn)方案是十分有意義的。

實(shí)用新型內(nèi)容

因此，針對(duì)上述的問題，本實(shí)用新型提出一種點(diǎn)式矩陣LED集成封裝結(jié)構(gòu)，對(duì)現(xiàn)有的LED芯片集成封裝結(jié)構(gòu)進(jìn)行改進(jìn)，解決光斑問題，同時(shí)對(duì)LED芯片進(jìn)行先并后串，提高電路穩(wěn)定性，從而解決現(xiàn)有技術(shù)之不足。

為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是，一種點(diǎn)式矩陣LED集成封裝結(jié)構(gòu)，包括底板，底板由導(dǎo)電帶分割為若干空白單元，每個(gè)空白單元上設(shè)有若干LED芯片。其中，空白單元的數(shù)量是若干個(gè)，每一個(gè)空白單元上設(shè)有若干個(gè)LED芯片，封裝在該底板上的LED芯片可組成多種圖案。

進(jìn)一步的，所述空白單元的內(nèi)表面均勻電鍍有鍍銀層，LED芯片固定設(shè)于該鍍銀層上，優(yōu)選的，鍍銀層的厚度為150um。

進(jìn)一步的，所述導(dǎo)電帶的邊緣處設(shè)有用于連接LED芯片的正負(fù)極的方形焊盤。

進(jìn)一步的，所述底板為高導(dǎo)熱鋁制成的底板。所述導(dǎo)電帶通過導(dǎo)熱樹脂黏附在底板上。

進(jìn)一步的，所述空白單元內(nèi)的LED芯片的上表面灌封有LED熒光膠，LED熒光膠的上表面為半球形，其可以使用高折成型膠點(diǎn)成半球形。該封裝工藝可以解決LED光斑問題，并在一定程度上提高了LED的光效。

進(jìn)一步的，所述空白單元包括底壁及側(cè)壁，該側(cè)壁與該底壁之間的夾角a滿足：?40°≤a≤50°，這樣，該空白單元所形成的杯座內(nèi)的LED芯片從側(cè)面發(fā)射出來的光線遇到該側(cè)壁后會(huì)發(fā)生折射，從而提高光效。特別是該側(cè)壁與底壁之間的夾角a是45°時(shí)，其效果最佳，此時(shí)，從LED芯片側(cè)面平行發(fā)射出來的光線遇到該側(cè)壁后能夠垂直射出，能充分利用LED芯片側(cè)發(fā)光。

進(jìn)一步的，所述空白單元的側(cè)壁上鍍有鏡面亮銀反光層，進(jìn)一步提高芯片出光率。

進(jìn)一步的，所述空白單元是直接在底板上鉆孔成型，該底板在該空白單元位置處的部分厚度薄，散熱效果好。

本實(shí)用新型的點(diǎn)式矩陣LED集成封裝結(jié)構(gòu)，底板由導(dǎo)電帶分割為若干空白單元，各空白單元內(nèi)設(shè)有若干LED芯片，LED芯片之間采用先并聯(lián)后串聯(lián)的原理，當(dāng)每一空白單元上都封裝有兩個(gè)或者是兩個(gè)以上的LED芯片時(shí)，每一個(gè)LED芯片的正、負(fù)電極分別與其兩側(cè)的導(dǎo)電帶電連接，如果任何一個(gè)空白單元上的任一LED芯片損壞后，其他的LED芯片依然能夠照常使用。與現(xiàn)有技術(shù)相比，通過先并聯(lián)后串聯(lián)的做法，提高了電路穩(wěn)定性；同時(shí)，通過在空白單元內(nèi)電鍍150um的鍍銀層，提高了芯片出光效率。LED芯片的上表面灌封有半球形的LED熒光膠，點(diǎn)成半球形可以有效的解決光斑問題。另外，使用鉆杯成型該底板在該凹槽空白單元的部分厚度薄，散熱效果好。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖二（安裝了LED芯片后）；

圖3為本實(shí)用新型的LED芯片的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型進(jìn)一步說明。