[實用新型]反熔絲結構有效
| 申請號： | 201320717904.7 | 申請日： | 2013-11-14 |
| 公開（公告）號： | CN203553153U | 公開（公告）日： | 2014-04-16 |
| 發明（設計）人： | 甘正浩 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/525 | 分類號： | H01L23/525 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 反熔絲 結構 | ||
1.一種反熔絲結構，其特征在于，包括：
第一端子、第二端子以及若干通孔連線，所述第一端子包括第一梳狀結構和第二梳狀結構，所述第一梳狀結構和第二梳狀結構相隔離，所述第二端子位于所述第一端子的后一層，所述第二端子與所述通孔連線相連，所述通孔連線位于所述第一梳狀結構和第二梳狀結構之間。
2.如權利要求1所述的反熔絲結構，其特征在于，所述第一梳狀結構包括若干第一插指。
3.如權利要求2所述的反熔絲結構，其特征在于，所述第二梳狀結構包括若干第二插指。
4.如權利要求3所述的反熔絲結構，其特征在于，所述第一插指或第二插指的間距（S2）范圍是5nm～200nm。
5.如權利要求3所述的反熔絲結構，其特征在于，所述通孔連線與所述第一插指和第二插指正向一一對應。
6.如權利要求3所述的反熔絲結構，其特征在于，所述通孔連線與所述第一插指和第二插指交錯對應。
7.如權利要求3所述的反熔絲結構，其特征在于，所述通孔連線與所述第一插指交錯對應，與所述第二插指正向一一對應。
8.如權利要求6或7所述的反熔絲結構，其特征在于，所述通孔連線與所述第一插指交錯的長度（S3）范圍是0nm～100nm。
9.如權利要求5、6或7所述的反熔絲結構，其特征在于，所述通孔連線與所述第一插指或第二插指的水平距離（S1）范圍是20nm～200nm。
10.如權利要求3所述的反熔絲結構，其特征在于，一部分所述通孔連線位于所述第一插指上，另一部分所述通孔連線位于所述第二插指上。
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