[實用新型]反熔絲結構

有效

• 申請號: 201320717904.7
• 申請日: 2013-11-14
• 公開（公告）號: CN203553153U
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 甘正浩
• 申請（專利權）人: 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
• 主分類號: H01L23/525
• 分類號: H01L23/525
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 屈蘅;李時云

技術領域

本實用新型涉及半導體制造領域，尤其涉及一種反熔絲結構。?

背景技術

反熔絲是一種電子器件，最初反熔絲的電阻十分大，不導通電流，當電壓達到一定值時，便能夠將反熔絲導通。反熔絲廣泛用在永久性編程器件之中，例如一些可編程邏輯器件（Programmable?Logic?Devices,PLD）、可編程只讀存儲器（Programmable?Read-Only?Memory,PROM）等。?

通常反熔絲是在金屬和導體之間形成一層薄薄的阻擋層，所述阻擋層通常為不定型硅（Amorphous?Silicon），由于最初所述不定形硅并不能導體電流，然而隨著施加在不定形硅兩端有效電壓的提升，便能夠將不定型硅轉化成多晶金屬硅（Polycrystalline?Silicon-Metal）合金，其具有較低的電阻，從而能夠導通電流。在其他例子中，反熔絲可以由鎢、鈦和硅組合而成。?

然而，由于反熔絲的屬性會隨著時間的變化而出現一個趨勢，反熔絲長期的可靠性如何是很重要的問題。?

請參考圖1，現有技術中，反熔絲結構為梳狀結構，包括：第一梳狀結構10和第二梳狀結構20，所述第一梳狀結構10上設有若干第一插指11，所述第二梳狀結構20上設有若干第二插指21，所述第一插指11和第二插指21交錯排列，所述第一梳狀結構10和第二梳狀結構20相互隔離。?

在反熔絲熔通時，可以在所述第一梳狀結構10和第二梳狀結構10上施加熔通電壓，使其由高阻態轉變為低阻態。?

請參考圖2，現有技術中，反熔絲結構還可以為梳狀-蛇形結構，即在上述梳狀結構的反熔絲結構之間添加一蛇形結構30，所述蛇形結構30設于所述第一?插指11和第二插指21之間，并與所述第一插指11和第二插指21均隔離。?

然而，由于芯片版圖的規則限定，所述第一插指11和第二插指21之間的距離L、所述第一插指11和蛇形結構30之間的距離通常均較大，在對上述結構進行熔通時，所要施加的熔通電壓通常在幾十伏特才能擊穿上述結構，并使之導通。實際上，反熔絲在正常使用時，其工作電壓一般為幾伏特，因此，上述結構并不能達到先進制程的需求。?

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種反熔絲結構，能夠降低熔通電壓，其熔通電壓較小，進而保證反熔絲在工作電壓較低的先進制程中保持很好的良率和可靠性。?

為了實現上述目的，本實用新型提出了一種反熔絲結構，包括：?

第一端子、第二端子以及若干通孔連線，所述第一端子包括第一梳狀結構和第二梳狀結構，所述第一梳狀結構和第二梳狀結構相隔離，所述第二端子位于所述第一端子后一層，所述第二端子與所述通孔連線相連，所述通孔連線位于所述第一梳狀結構和第二梳狀結構之間。?

進一步的，所述第一梳狀結構包括若干第一插指。?

進一步的，所述第二梳狀結構包括若干第二插指。?

進一步的，所述第一插指或第二插指的間距（S2）范圍是5nm～200nm。?

進一步的，所述通孔連線與所述第一插指和第二插指正向一一對應。?

進一步的，所述通孔連線與所述第一插指和第二插指交錯對應。?

進一步的，所述通孔連線與所述第一插指交錯對應，與所述第二插指正向一一對應。?

進一步的，所述通孔連線與所述第一插指交錯的長度（S3）范圍是0nm～100nm。?

進一步的，所述通孔連線與所述第一插指或第二插指的水平距離（S1）范?圍是20nm～200nm。?

進一步的，一部分所述通孔連線位于所述第一插指上，另一部分所述通孔連線位于所述第二插指上。?

與現有技術相比，本實用新型的有益效果主要體現在：在所述第一梳狀結構和第二梳狀結構之間增加通孔連線，所述通孔連線還連接第一端子，在熔通時，分別在所述第一端子和第二端子之間施加熔通電壓，由于所述通孔連線位于所述第一梳狀結構和第二梳狀結構之間，能夠增加所述通孔連線與第一梳狀結構和第二梳狀結構之間的電場，即施加的熔通電壓較小時也能夠實現擊穿導通，進而保證反熔絲在工作電壓較低的先進制程中保持很好的良率和可靠性。?

附圖說明

圖1為現有技術中一梳狀結構的反熔絲結構的結構示意圖；?

圖2為現有技術中一梳狀-蛇形結構的反熔絲結構的結構示意圖；?

圖3為本實用新型實施例一中的反熔絲結構的結構示意圖；?

圖4為本實用新型實施例二中的反熔絲結構的結構示意圖；?