[實用新型]半導體器件有效

申請號：	201320717901.3	申請日：	2013-11-14
公開（公告）號：	CN203553170U	公開（公告）日：	2014-04-16
發明（設計）人：	魏琰	申請（專利權）人：	中芯國際集成電路制造（北京）有限公司
主分類號：	H01L27/146	分類號：	H01L27/146;H01L21/8238
代理公司：	上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237	代理人：	屈蘅;李時云
地址：	100176 北京市大興區***	國省代碼：	北京;11
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摘要：
搜索關鍵詞：	半導體器件
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【權利要求書】：

1.一種半導體器件，其特征在于，包括：

襯底，所述襯底至少包括有N阱及STI；所述襯底上形成有柵極多晶硅，所述柵極多晶硅覆蓋部分所述N阱及部分STI；所述N阱上形成有第一應力層和第二應力層，所述第一應力層覆蓋所述柵極多晶硅位于所述N阱上的部分；所述第二應力層覆蓋所述第一應力層外的其他區域；其中，所述第一應力層在L方向提供壓應力，所述第二應力層在W方向提供拉應力。

2.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述第一應力層為DSL層。

3.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述DSL層的厚度為15-40nm。

4.如權利要求2所述的半導體器件，其特征在于，所述第二應力層為CESL層。

5.如權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述CESL層的厚度為15-40nm。

6.如權利要求4所述的半導體器件，其特征在于，所述柵極多晶硅兩側形成有側墻，所述CESL層覆蓋所述側墻。

7.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述N阱中柵極多晶硅兩側形成有源漏極。

8.如權利要求1所述的半導體器件，其特征在于，所述襯底還包括P阱，所述P阱與N阱通過所述STI隔離，所述P阱上形成有柵極多晶硅，所述第二應力層還覆蓋所述P阱。

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