[實(shí)用新型]一種火山型掩膜版及其圖形化襯底有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320709142.6 | 申請(qǐng)日： | 2013-11-08 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN203616577U | 公開(kāi)（公告）日： | 2014-05-28 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 商毅博;繆炳有;韓沈丹;胡丹;王巖 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 西安神光安瑞光電科技有限公司 |
| 主分類號(hào)： | G03F1/26 | 分類號(hào)： | G03F1/26;H01L33/20 |
| 代理公司： | 西安智邦專利商標(biāo)代理有限公司 61211 | 代理人： | 倪金榮 |
| 地址： | 710100 陜西*** | 國(guó)省代碼： | 陜西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 火山 型掩膜版 及其 圖形 襯底 | ||
1.一種火山型掩膜版，包括光刻板，其特征在于：所述光刻板上設(shè)置環(huán)形陣列單元，所述環(huán)形陣列單元包括多個(gè)火山型單元，所述火山型單元兩兩之間距離相等。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的火山型掩膜版，其特征在于：所述火山型單元為一圓環(huán)。
3.根據(jù)權(quán)利要求3所述的火山型掩膜版，其特征在于：所述圓環(huán)內(nèi)直徑為0.4～0.8微米。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的火山型掩膜版，其特征在于：所述圓環(huán)外直徑為1.4～2.4微米。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的火山型掩膜版，其特征在于：所述火山型單元兩兩之間的間距為0.6-1.5微米。
6.一種基于權(quán)利要求1的火山型掩膜版制作的圖形化襯底，其特征在于：所述圖形化襯底包括藍(lán)寶石襯底以及設(shè)置在藍(lán)寶石襯底上的陣列分布的火山型單元，所述火山型單元等距離排列分布。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的火山型掩膜版制作的圖形化襯底，其特征在于：所述火山型單元包括一錐形圓環(huán)，所述圓環(huán)的上下截面直徑不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的火山型掩膜版制作的圖形化襯底，其特征在于：所述藍(lán)寶石襯底的尺寸為2英寸、4英寸或6英寸。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝，例如，印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝；其所用材料；其所用原版；其所用專用設(shè)備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其專門適用于此的容器；其制備
G03F1-20 .用于通過(guò)帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如通過(guò)電子束；其制備
G03F1-22 .用于通過(guò)100nm或更短波長(zhǎng)輻照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜；其制備，例如光學(xué)臨近校正(OPC)設(shè)計(jì)工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜，例如用于校準(zhǔn)或測(cè)試的特殊涂層或標(biāo)記；其制備
