[實用新型]LED芯片

有效

• 申請號: 201320705507.8
• 申請日: 2013-11-08
• 公開（公告）號: CN203536464U
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 吳裕朝;劉艷;王瑞慶
• 申請（專利權）人: 劉艷
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38
• 代理公司: 北京格羅巴爾知識產權代理事務所(普通合伙) 11406
• 代理人: 方志煒

技術領域

本實用新型涉及發光元件技術領域，尤其涉及一種LED芯片。

背景技術

隨著LED（Light?Emitting?Diode，發光二極管）照明技術的日益發展，LED在人們日常生活中的應用也越來越廣泛。

LED的發光是利用正極的電流到達負極所完成，電流會以電阻最小的路線由正極到達負極，一般電阻值決定于電流路線的遠近，正極到負極越近則電阻值越小、正極到負極越遠則電阻就越大。然而，現有LED中的電極通常為金屬線狀，這使得單點的一個電流從正極進入負極，并以正極到負極給電流最近的距離最亮，其它位置將由于距離金屬線較遠而電阻較大、相對較暗，從而存在電流密度不均勻、導致發光不均勻的問題。

實用新型內容

技術問題

有鑒于此，本實用新型要解決的技術問題是，如何使得LED的發光盡量均勻。

解決方案

為了解決上述問題，根據本實用新型一實施例，提供了一種LED芯片，其包括：襯底；第一導電型半導體層，位于所述襯底的正面；發光層，位于所述第一導電型半導體層的正面；第二導電型半導體層，位于所述發光層的正面；反射層，位于所述第二導電型半導體層的正面；多個第一電極孔，各自延伸穿過所述反射層、所述第二導電型半導體層和所述發光層；多個第二電極孔，各自延伸穿過所述反射層；第一電極，至少部分位于所述反射層的正面，經由所述第一電極孔與所述第一導電型半導體層電性接觸；第二電極，至少部分位于所述反射層的正面，經由所述第二電極孔與所述第二導電型半導體層電性接觸；以及隔離層，位于所述反射層的正面，用以將所述第一電極與所述第二電極絕緣隔離，其中，在所述反射層的正面上，所述多個第一電極孔呈M行N列的矩陣式分布，M為大于或等于1的整數，N為大于或等于2的整數，各行所述第一電極孔在所述反射層的正面等間距分布，各列所述第一電極孔在所述反射層的正面等間距分布，圍繞一個所述第一電極孔的至少兩個所述第二電極孔均勻分布并且所述至少兩個所述第二電極孔在所述反射層的正面的垂直投影到被圍繞的所述第一電極孔在所述反射層的正面的垂直投影的距離相同。

對于上述LED芯片，在一種可能的實現方式中，各行所述第一電極孔在所述反射層的正面的垂直投影的中心在一條直線上，各列所述第一電極孔在所述反射層的正面的垂直投影的中心在一條直線上。

對于上述LED芯片，在一種可能的實現方式中，所述第一電極包括：填充各所述第一電極孔的電極材料，以及將填充位于第二電極區內的第一電極孔中的電極材料連接至位于第一電極區內的第一電極孔中的電極材料的引線，其中，所述第一電極區是指所述第一電極在所述反射層的正面的存在區域，所述第二電極區是指所述第二電極在所述反射層的正面的存在區域；所述第二電極包括：填充各所述第二電極孔的電極材料，以及使填充各所述第二電極孔的電極材料避開各所述第一電極孔和所述引線而相互連接的部分。

對于上述LED芯片，在一種可能的實現方式中，所述多個第一電極孔在所述反射層的正面的垂直投影的面積總和相對于所述反射層的正面的面積的比值不低于1%；所述多個第二電極孔在所述反射層的正面的垂直投影的面積總和相對于所述反射層的正面的面積的比值不低于1%。

對于上述LED芯片，在一種可能的實現方式中，還包括導電層，所述導電層位于所述第二導電型半導體層和所述反射層之間，并且所述第一電極孔延伸穿過所述導電層。

對于上述LED芯片，在一種可能的實現方式中，在所述導電層、所述第一電極和所述第二電極至少之一上形成有保護層。

對于上述LED芯片，在一種可能的實現方式中，還包括絕緣保護膜，所述絕緣保護膜覆蓋該LED芯片的所有側面、而僅暴露所述第一電極和所述第二電極。

有益效果

通過使圍繞一個所述第一電極孔的至少兩個所述第二電極孔均勻分布，其中，第一電極孔用以使第一電極與第一導電型半導體層電性連接，第二電極孔用以使第二電極與第二導電型半導體層電性連接，根據本實用新型實施例的LED芯片能夠使得LED芯片中至少部分正電極到負電極的距離一致、至少部分正電極到負電極的電流歲流經的電阻一致，從而與現有技術相比，能夠提高電流密度的均勻性、發光的均勻性。

根據下面參考附圖對示例性實施例的詳細說明，本實用新型的其它特征及方面將變得清楚。

附圖說明