[實用新型]LED芯片有效
| 申請號: | 201320705507.8 | 申請日: | 2013-11-08 |
| 公開(公告)號: | CN203536464U | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發明(設計)人: | 吳裕朝;劉艷;王瑞慶 | 申請(專利權)人: | 劉艷 |
| 主分類號: | H01L33/38 | 分類號: | H01L33/38 |
| 代理公司: | 北京格羅巴爾知識產權代理事務所(普通合伙) 11406 | 代理人: | 方志煒 |
| 地址: | 廣東省東莞市虎門*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
| 權利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | led 芯片 | ||
1.一種LED芯片,其特征在于,包括:?
襯底;?
第一導電型半導體層,位于所述襯底的正面;?
發光層,位于所述第一導電型半導體層的正面;?
第二導電型半導體層,位于所述發光層的正面;?
反射層,位于所述第二導電型半導體層的正面;?
多個第一電極孔,各自延伸穿過所述反射層、所述第二導電型半導體層和所述發光層;?
多個第二電極孔,各自延伸穿過所述反射層;?
第一電極,至少部分位于所述反射層的正面,經由所述第一電極孔與所述第一導電型半導體層電性接觸;?
第二電極,至少部分位于所述反射層的正面,經由所述第二電極孔與所述第二導電型半導體層電性接觸;以及?
隔離層,位于所述反射層的正面,用以將所述第一電極與所述第二電極絕緣隔離,?
其中,在所述反射層的正面上,所述多個第一電極孔呈M行N列的矩陣式分布,M為大于或等于1的整數,N為大于或等于2的整數,各行所述第一電極孔在所述反射層的正面等間距分布,各列所述第一電極孔在所述反射層的正面等間距分布,圍繞一個所述第一電極孔的至少兩個所述第二電極孔均勻分布并且至少兩個所述第二電極孔在所述反射層的正面的垂直投影到被圍繞的所述第一電極孔在所述反射層的正面的垂直投影的距離相同。?
2.根據權利要求1所述的LED芯片,其特征在于,各行所述第一電極孔在所述反射層的正面的垂直投影的中心在一條直線上,各列所述第一電極孔在所述反射層的正面的垂直投影的中心在一條直線上。?
3.根據權利要求1所述的LED芯片,其特征在于,?
所述第一電極包括:?
填充各所述第一電極孔的電極材料,以及?
將填充位于第二電極區內的第一電極孔中的電極材料連接至位于第一電極區內的第一電極孔中的電極材料的引線,其中,所述第一電極區是指所述第一電極在所述反射層的正面的存在區域,所述第二電極區是指所述第二電極在所述反射層的正面的存在區域;?
所述第二電極包括:?
填充各所述第二電極孔的電極材料,以及?
使填充各所述第二電極孔的電極材料避開各所述第一電極孔和所述引線而相互連接的部分。?
4.根據權利要求1所述的LED芯片,其特征在于,所述多個第一電極孔在所述反射層的正面的垂直投影的面積總和相對于所述反射層的正面的面積的比值不低于1%;所述多個第二電極孔在所述反射層的正面的垂直投影的面積總和相對于所述反射層的正面的面積的比值不低于1%。?
5.根據權利要求1至4中任一項所述的LED芯片,其特征在于,還包括導電層,所述導電層位于所述第二導電型半導體層和所述反射層之間,并且所述第一電極孔延伸穿過所述導電層。?
6.根據權利要求1至4中任一項所述的LED芯片,其特征在于,在所述導電層、所述第一電極和所述第二電極至少之一上形成有保護層。?
7.根據權利要求1至4中任一項所述的LED芯片,其特征在于,還包括絕緣保護膜,所述絕緣保護膜覆蓋該LED芯片的所有側面、而僅暴露所述第一電極和所述第二電極。?
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息,商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于劉艷,未經劉艷許可,擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作,請聯系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320705507.8/1.html,轉載請聲明來源鉆瓜專利網。





