[實用新型]具有傳輸電路的操控電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320703523.3 | 申請日: | 2013-11-07 |
| 公開(公告)號: | CN203590189U | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 萊茵哈德·赫策;馬蒂亞斯·羅斯貝格;巴斯蒂安·福格勒 | 申請(專利權(quán))人: | 賽米控電子股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K17/689 | 分類號: | H03K17/689 |
| 代理公司: | 中原信達(dá)知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219 | 代理人: | 楊靖;車文 |
| 地址: | 德國*** | 國省代碼: | 德國;DE |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 具有 傳輸 電路 操控 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種具有用于越過勢壘傳輸信號的傳輸電路的操控電路,如其在功率半導(dǎo)體模塊的驅(qū)動器電路中應(yīng)用的那樣。
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)尤其由DE102010018997A1形成。該專利文獻(xiàn)公開了一種具有傳輸電路的操控電路,用于將信號從具有第一基礎(chǔ)電位的第一電位側(cè)傳輸?shù)街辽僖粋€具有相應(yīng)第二基礎(chǔ)電位的第二電位側(cè),該操控電路具備帶有初級側(cè)與次級側(cè)之間的電容耦合的傳輸器。在這種情況下,傳輸器具有兩個分支,即具有一個ON-傳輸分支和一個OFF-傳輸分支,它們本身分別具有第一子分支和第二子分支,其中,初級側(cè)與次級側(cè)之間的電容耦合在每個子分支中都通過高壓電容器來實施。依據(jù)該發(fā)明的方法,在每個傳輸分支中,那里的信號產(chǎn)生流過第一子分支的第一HV電容器的電流和流過第二子分支的第二HV電容器的反向電流。相應(yīng)的電流在次級側(cè)上被探測到并且被輸送給兩個子分支的共同的評估電路,評估電路在次級側(cè)重構(gòu)初級側(cè)的輸入信號。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的任務(wù)在于,通過如下方式改進(jìn)公知的傳輸電路,即,使得信號也能夠越過如下勢壘傳輸,其中第一電位側(cè)與第二電位側(cè)之間的電壓差高于單個高壓電容器的介電強(qiáng)度。
根據(jù)本實用新型,該任務(wù)通過一種將在下面詳細(xì)描述的功率電子系統(tǒng)來解決。優(yōu)選的實施方式也將在下文中加以描述。
本實用新型包括一種具有傳輸電路的操控電路,用于越過勢壘將信號從具有第一基礎(chǔ)電位的第一電位側(cè)傳輸至具有第二基礎(chǔ)電位的第二電位側(cè),操控電路具備帶有初級側(cè)與次級側(cè)之間的電容耦合的電容式起作用的傳輸裝置,其中,傳輸裝置具有正好一個或者兩個分支,因此僅具有一個ON-傳輸分支或者具有一個ON-傳輸分支和一個OFF-傳輸分支,它們本身分別具有第一和第二子分支,其中,第一電位側(cè)與第二電位側(cè)之間的電容耦合在每個子分支中都通過串聯(lián)多個第一高壓電容器及第二高壓電容器來構(gòu)造,所述高壓電容器又與第二電位側(cè)上配屬的電容器一起形成各一個串聯(lián)電路,其中,在相應(yīng)的傳輸分支內(nèi)部,信號直接接在第一子分支上并且經(jīng)由第二反相器接在第二子分支上,并且其中,在兩個分支中,輸入端上的信號直接接在ON-傳輸分支上并且經(jīng)由第一反相器接在OFF-傳輸分支上。
表明有利的是,與分支的第一高壓電容器和第二高壓電容器并聯(lián)地布置有具有與第一高壓電容器和第二高壓電容器相同數(shù)量的對稱電容器的另一電容分壓器,其中,對稱電容器的每個中間電位都與配屬的高壓電容器借助于齊納二極管補(bǔ)償電路連接。
此外,已經(jīng)表明有利的是,齊納二極管補(bǔ)償電路構(gòu)造為各兩個由兩個齊納二極管組成的串聯(lián)電路,齊納二極管以其陽極或者陰極彼此連接,并且其陰極或者陽極一方面與對稱電容器的相應(yīng)的中間電位連接而另一方面與高壓電容器的配屬的中間電位連接。
也可以有利的是,對稱電容器的串聯(lián)電路與第一電位側(cè)和第二電位側(cè)的供電電位連接。
尤其有利的是,與每個對稱電容器都并聯(lián)有一個限壓電路。
此外,可以有利的是,具有上下接頭的限壓電路由其他齊納二極管的串聯(lián)電路和并聯(lián)的限壓晶體管組成,限壓晶體管的源極與限壓電路的下接頭連接,限壓晶體管的漏極與限壓電路的上接頭連接,并且限壓晶體管的柵極一方面與串聯(lián)電路的第一齊納二極管的陰極連接,而另一方面經(jīng)由電阻與串聯(lián)電路的第一齊納二極管的陽極連接。
原則上,尤其當(dāng)從具有第一基礎(chǔ)電位的第一電位側(cè)至具有第二基礎(chǔ)電位的第二電位側(cè)的總電位差大于高壓電容器的介電強(qiáng)度,并且同時或者替選地,該總電位差大于第二電位側(cè)至基底的絕緣強(qiáng)度的時候,對于操控電路來說表明有利的是,相應(yīng)的部件分別以單片集成的方式布置在多個彼此電絕緣的基底上。此外,在這種情況下還有利的是,齊納二極管補(bǔ)償電路的中點與基礎(chǔ)電位導(dǎo)電連接。
這可以有利地設(shè)計,方法是:相應(yīng)的部件布置在兩個基底上,并且在這種情況下,第一電位側(cè)的部件布置在第一基底上,而第二電位側(cè)的部件布置在第二基底上。替選地,相應(yīng)的部件布置在多于兩個基底上,并且在這種情況下,第一電位側(cè)的部件布置在第一基底上,而第二電位側(cè)的部件布置在第二基底上,以及高壓電容器和配屬的限壓電路布置在相應(yīng)的自身的其他基底上。在這種情況下特別優(yōu)選的是,相應(yīng)的基底布置在多芯片模塊內(nèi)部。
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