[實(shí)用新型]具有傳輸電路的操控電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320703523.3
• 申請(qǐng)日: 2013-11-07
• 公開（公告）號(hào): CN203590189U
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 萊茵哈德·赫策;馬蒂亞斯·羅斯貝格;巴斯蒂安·福格勒
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號(hào): H03K17/689
• 分類號(hào): H03K17/689
• 代理公司: 中原信達(dá)知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11219
• 代理人: 楊靖;車文

1.一種具有傳輸電路的操控電路，所述傳輸電路用于越過勢(shì)壘將信號(hào)從具有第一基礎(chǔ)電位的第一電位側(cè)（Pri、Sek）傳輸至具有第二基礎(chǔ)電位的第二電位側(cè)（Sek、Pri），所述操控電路具備帶有第一電位側(cè)與第二電位側(cè)之間的電容耦合的電容式起作用的傳輸裝置（80、90），其中，

所述傳輸裝置（80、90）具有正好一個(gè)或者兩個(gè)分支，因此僅具有一個(gè)ON-傳輸分支（82、92）或者具有一個(gè)ON-傳輸分支（82）和一個(gè)OFF-傳輸分支（83），它們本身分別具有第一和第二子分支，其中，

所述第一電位側(cè)與第二電位側(cè)之間的電容耦合在每個(gè)子分支中都通過串聯(lián)多個(gè)第一高壓電容器及第二高壓電容器（C1x、C3x，其中x=1...n或者x=1r...nr）來構(gòu)造，所述高壓電容器又與所述第二電位側(cè)上配屬的電容器（C2、C4或者C2r、C4r）一起形成各一個(gè)串聯(lián)電路，其中，在相應(yīng)的傳輸分支（82、83、92）內(nèi)部，所述信號(hào)直接接在第一子分支上并且經(jīng)由第二反相器（INV2、INV2r）接在第二子分支上，并且

其中，在兩個(gè)分支中，輸入端上的信號(hào)（IN）直接接在所述ON-傳輸分支（82）上并且經(jīng)由第一反相器（INV1）接在所述OFF-傳輸分支（83）上。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的操控電路，其中，與分支的第一高壓電容器和第二高壓電容器（C1x、C3x）并聯(lián)地布置有具有與第一高壓電容器和第二高壓電容器（C1x、C3x）相同數(shù)量的對(duì)稱電容器（C5、C6）的另一電容分壓器，其中，對(duì)稱電容器（C5、C6）的每個(gè)中間電位（X1x、X3x）都與配屬的高壓電容器（C1x、C3x）借助于齊納二極管補(bǔ)償電路（ZA）連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的操控電路，其中，所述齊納二極管補(bǔ)償電路（ZA）構(gòu)造為各兩個(gè)由兩個(gè)齊納二極管（Z1ax、Z1bx或Z3ax、Z3bx，其中x=2...n）組成的串聯(lián)電路，所述齊納二極管以其陽極或者陰極彼此連接，并且其陰極或者陽極與所述對(duì)稱電容器（C5、C6）的相應(yīng)的中間電位（Y）和所述高壓電容器（C1x、C3x）的配屬的中間電位（X1x、X3x）連接。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的操控電路，其中，所述對(duì)稱電容器（C5、C6）的串聯(lián)電路，即所述另一電容分壓器與所述第一電位側(cè)和所述第二電位側(cè)（Pri、Sek）的供電電位（vdd_sek、vdd_prim）連接。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的操控電路，其中，與所述另一電容分壓器的每個(gè)對(duì)稱電容器（C5、C6）都并聯(lián)有一個(gè)限壓電路（SPB）。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的操控電路，其中，具有上下接頭的所述限壓電路（SPB）由其他齊納二極管（Z5y、Z6y，其中y=1...m）的串聯(lián)電路和并聯(lián)的限壓晶體管（HV5、HV6）組成，所述限壓晶體管的源極與所述限壓電路（SPB）的下接頭連接，所述限壓晶體管的漏極與所述限壓電路（SPB）的上接頭連接，并且所述限壓晶體管的柵極一方面與所述串聯(lián)電路的第一齊納二極管（Z51、Z61）的陰極連接，而另一方面經(jīng)由電阻與所述串聯(lián)電路的第一齊納二極管的陽極連接。

7.根據(jù)前述權(quán)利要求之一所述的操控電路，其中，相應(yīng)的部件以單片集成的方式布置在多個(gè)彼此電絕緣的基底（芯片1...芯片n）上。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的操控電路，其中，齊納二極管補(bǔ)償電路（ZA）的中點(diǎn)與基礎(chǔ)電位（HWx，其中x=1...n）導(dǎo)電連接。

9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的操控電路，其中，相應(yīng)的部件布置在兩個(gè)基底（芯片1、芯片n，其中n=2）上，并且在這種情況下，所述第一電位側(cè)的部件布置在第一基底上，而所述第二電位側(cè)的部件布置在第二基底上。

10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的操控電路，其中，所述相應(yīng)的部件布置在多于兩個(gè)基底（芯片x，其中x=1...n）上，并且在這種情況下，所述第一電位側(cè)的部件布置在第一基底上，而所述第二電位側(cè)的部件布置在第二基底上，以及高壓電容器和配屬的限壓電路布置在相應(yīng)自身的其他基底（芯片2...芯片n-1）上。

11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的操控電路，其中，相應(yīng)的基底（芯片1...芯片n）布置在多芯片模塊內(nèi)部。

12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的操控電路，其中，相應(yīng)的基底（芯片1...芯片n）布置在多芯片模塊內(nèi)部。

13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的操控電路，其中，相應(yīng)的基底（芯片1...芯片n）布置在多芯片模塊內(nèi)部。