[實用新型]一種晶片吹砂傳送裝置有效
| 申請號: | 201320683135.3 | 申請日: | 2013-11-01 |
| 公開(公告)號: | CN203536395U | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發明(設計)人: | 郭城;呂明;紀大鵬;趙海玲;徐明星;郭英云 | 申請(專利權)人: | 山東科芯電子有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/677 | 分類號: | H01L21/677 |
| 代理公司: | 濟南日新專利代理事務所 37224 | 代理人: | 李茜 |
| 地址: | 250200 山東省濟南*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶片 傳送 裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及的是電子元器件技術領域,尤其是一種晶片吹砂傳送裝置的改進。
背景技術
半導體硅片生產制造前期,晶圓片均需要減薄以達到需要的厚度,目前多數減薄方式為采用吹砂機吹砂減薄,屬于物理方法的減薄。即通過向晶片表面均勻噴射高速的細小顆粒的金剛砂,通過高速的碰撞達到減薄的目的,傳送皮帶上放置研磨晶片的開孔按“S”型分布,呈2排傳送,效率低下,制約了產量的提高。在保證生產質量的條件下,加寬傳送帶,增加傳送帶放置研磨晶片排數,單位時間的工作效率得到了提高。但是,只改變傳送皮帶的寬度,在現有噴砂方式和擺程條件下,邊緣晶片不能有效減薄,且存在厚度偏差。這是現有技術的不足之處。
發明內容
本實用新型的目的在于,克服現有技術的不足,提供了一種結構簡單、擺幅控制裝置根據皮帶的寬度可調、保證產品質量、效率高的一種晶片吹砂傳送裝置。
為解決上述技術問題,本實用新型的技術方案為:一種晶片吹砂裝置,包括有吹砂機、機架、傳送帶、凹型圓孔、一組噴槍等,其特征在于:在所述傳送帶上設置兩排以上凹型圓孔,并在其上方設置所述一組噴槍的擺動機構。通過對擺動機構的改進,使用連動盤和三角連桿的設計,可對連動拉桿I、連動拉桿II,根據生產需要進行自由調節,滿足晶片多排孔生產的需要。
本實用新型的進一步改進有,所述一組噴槍與擺桿固連,所述擺桿與軸承內徑固連?,軸承座與所述機架固連。使一組噴槍做等距扇形往復運動,完成均勻吹砂的目的。
本實用新型的進一步改進還有,所述一組噴槍的每個噴槍上的砂管與壓縮空氣管路中心線之間的夾角設置為45°。連動裝置改造為外部連動后,機艙內空間結構變化,使噴槍砂管的空間改造為傾斜結構,克服原來L型砂管帶來的不便,有利于提高金剛砂利用率,提高循環速度。
本實用新型的進一步改進還有,所述擺動機構是由固定在所述機架上的擺幅連動電機、依次連接的連動盤、三角連桿、連動軸承、連動拉桿Ⅰ、連動拉桿Ⅱ、擺桿組成,所述的連動拉桿Ⅰ與所述連動拉桿Ⅱ鉸接,所述連動拉桿Ⅱ的另一端通過連動軸承、三角連桿與所述連動盤鉸接。
本實用新型的進一步改進還有,所述三角連桿形狀為鈍角等腰三角形,并在其兩個頂角設置銷軸Ⅰ、銷軸Ⅱ,所述連動軸承與所述連動拉桿Ⅱ鉸接,所述銷軸Ⅱ置于所述連動盤的扇形環形槽內。用于調節連動拉桿I的動作幅度,與擺桿連動。目的是銷軸Ⅱ在扇形環形槽內調整位置,以調節擺桿的擺程。
本實用新型的進一步改進還有,所述銷軸Ⅱ設置在所述連動盤偏心的位置。?
說明書中沒有描述的結構屬于現有技術。
本方案的有益效果可根據對上述方案的敘述得知,一種晶片吹砂裝置,包括有吹砂機、機架、傳送帶、凹型圓孔、一組噴槍等,其特征在于:在所述傳送帶上設置兩排以上凹型圓孔,并在其上方設置所述一組噴槍的擺動機構。本實用新型的有益效果是:通過對擺動機構的改進,一組噴槍的擺程可依據生產需要進行自由調節,滿足晶片多排孔生產的需要;改變了砂管的角度,有利于提高金剛砂利用率,提高循環速度;結構簡單實用,提高了生產效率。
工作原理:擺動機構3主要是動力擺幅連動電機10提供電源源動力,通過連動輪盤11、可調三角桿14以及連動桿II9、連動桿I8,帶動擺桿2轉動,從而使一組噴槍4做等距扇形往復運動,完成均勻吹砂的目的;三角桿14右側底角銷軸II15在連動盤11扇形溝槽內可自由調節,以完成改變擺軸2擺程的調節。傳送帶下面設置的真空吸盤要依據傳送帶寬度的尺寸進行設置。
附圖說明
??圖1為本實用新型的主視結構示意圖,圖2為本實用新型的右視結構示意圖,圖3是圖2的俯視圖,圖4為傳送帶凹型圓孔分布圖,圖5為噴槍結構圖,圖6是原來的擺動機構。圖中:1是機架,2是擺桿,3是擺動機構,4是噴槍,5是傳送帶,6是真空吸槽,7是軸承座,8是連動拉桿Ⅰ,9是連動拉桿Ⅱ,10是擺幅連動電機,11是連動盤,12是銷軸Ⅰ,13是連動軸承,14是三角連桿,15是銷軸Ⅱ,16是凹型圓孔,17是砂管,18是壓縮空氣管路,19是軸承。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施方式對本實用新型作進一步詳細說明。
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H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





