[實用新型]具有串聯的雙NMOS的集成電路有效

申請號：	201320672914.3	申請日：	2013-10-29
公開（公告）號：	CN203589029U	公開（公告）日：	2014-05-07
發明（設計）人：	王釗	申請（專利權）人：	無錫中星微電子有限公司
主分類號：	H01L27/088	分類號：	H01L27/088;H01L21/8234
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地址：	214135 江蘇省無錫市新***	國省代碼：	江蘇;32
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摘要：
搜索關鍵詞：	具有串聯 nmos 集成電路
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【權利要求書】：

1.一種具有串聯的雙NMOS的集成電路，其特征在于,所述集成電路包括：?

至少一個第一NMOS，置于晶圓第一面，具有第一柵極和第一源極；?

至少一個第二NMOS，置于晶圓第二面，具有第二柵極和第二源極；?

所述至少一個第一NMOS和至少一個第二NMOS在與晶圓表面垂直的縱向上共用N-型半導體襯底的N-區域，所述至少一個第一NMOS的柵極和至少一個第二NMOS的源極的位置彼此對應，所述至少一個第一NMOS的源極和至少一個第二NMOS的柵極的位置彼此對應。?

2.如權利要求1所述的具有串聯的雙NMOS的集成電路，其特征在于,所述至少一個第一NMOS的第一柵極和第一源極在晶圓第一面交替設置，所述至少一個第二NMOS的第二柵極和第二源極在晶片第二面交替設置。?

3.如權利要求1所述的具有串聯的雙NMOS的集成電路，其特征在于,所述至少一個第一NMOS的第一柵極和至少一個第二NMOS的第二柵極由晶圓內部刻蝕深槽，在深槽內淀積填充多晶硅材料形成,至少有一個第一NMOS的第一柵極的末端部分延伸入相鄰的兩個第二NMOS的第二柵極之間的空間內，至少有一個第二NMOS的第二柵極的末端部分延伸入相鄰的兩個第一NMOS的第一柵極之間的空間內。?

4.如權利要求1所述的具有串聯的雙NMOS的集成電路，其特征在于,所述N-區域是通過在N-型半導體襯底的兩個表面注入預定深度的P-而形成，N-型半導體襯底的兩個表面分別對應于所述晶圓的第一面和所述晶圓的第二面，形成所述第一柵極和第二柵極的深槽穿過所述N-區域。?

5.如權利要求1-4任一項所述的具有串聯的雙NMOS的集成電路，其特征在于,串聯的雙NMOS集成電路構成電池保護電路的用于對充電回路和放電回路進行導通和切斷控制的開關組合電路。?

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