[實用新型]晶圓升降裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320672797.0 | 申請日： | 2013-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN203536401U | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發(fā)明（設(shè)計）人： | 曹偉剛;田華 | 申請（專利權(quán)）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海思微知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 100176 北京市大興區(qū)*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 升降 裝置 | ||
1.一種晶圓升降裝置，其特征在于，包括：
頂針、頂針環(huán)、套筒、支撐件以及頂針盒，其中，所述頂針環(huán)的一面通過螺紋固定所述頂針，另一面固定所述套筒和支撐件，所述支撐件與所述套筒相固定，所述頂針盒頂端由所述套筒伸入并與所述頂針環(huán)通過螺母相固定。
2.如權(quán)利要求1所述的晶圓升降裝置，其特征在于，所述頂針盒包括一凹槽與一嵌件，所述嵌件設(shè)于所述套筒與所述凹槽之間。
3.如權(quán)利要求1所述的晶圓升降裝置，其特征在于，所述頂針環(huán)和頂針的材質(zhì)均為陶瓷。
4.如權(quán)利要求1所述的晶圓升降裝置，其特征在于，所述套筒的材質(zhì)為陶瓷。
5.如權(quán)利要求4所述的晶圓升降裝置，其特征在于，所述頂針環(huán)和套筒為一體成型。
6.如權(quán)利要求1所述的晶圓升降裝置，其特征在于，所述支撐件俯視圖為L型，側(cè)視圖為三角形。
7.如權(quán)利要求6所述的晶圓升降裝置，其特征在于，所述支撐件的材質(zhì)為陶瓷。
8.如權(quán)利要求7所述的晶圓升降裝置，其特征在于，所述頂針環(huán)和支撐件為一體成型。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
