[實用新型]晶圓升降裝置有效
| 申請號： | 201320672797.0 | 申請日： | 2013-10-29 |
| 公開（公告）號： | CN203536401U | 公開（公告）日： | 2014-04-09 |
| 發明（設計）人： | 曹偉剛;田華 | 申請（專利權）人： | 中芯國際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01L21/687 |
| 代理公司： | 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李時云 |
| 地址： | 100176 北京市大興區*** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 升降 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶圓升降裝置，其特征在于，包括：
頂針、頂針環、套筒、支撐件以及頂針盒，其中，所述頂針環的一面通過螺紋固定所述頂針，另一面固定所述套筒和支撐件，所述支撐件與所述套筒相固定，所述頂針盒頂端由所述套筒伸入并與所述頂針環通過螺母相固定。
2.如權利要求1所述的晶圓升降裝置，其特征在于，所述頂針盒包括一凹槽與一嵌件，所述嵌件設于所述套筒與所述凹槽之間。
3.如權利要求1所述的晶圓升降裝置，其特征在于，所述頂針環和頂針的材質均為陶瓷。
4.如權利要求1所述的晶圓升降裝置，其特征在于，所述套筒的材質為陶瓷。
5.如權利要求4所述的晶圓升降裝置，其特征在于，所述頂針環和套筒為一體成型。
6.如權利要求1所述的晶圓升降裝置，其特征在于，所述支撐件俯視圖為L型，側視圖為三角形。
7.如權利要求6所述的晶圓升降裝置，其特征在于，所述支撐件的材質為陶瓷。
8.如權利要求7所述的晶圓升降裝置，其特征在于，所述頂針環和支撐件為一體成型。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
