[實(shí)用新型]晶圓劃片裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320672396.5 | 申請(qǐng)日: | 2013-10-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203536386U | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 虞勤琴;韓耀梅;郭志蓉;范春燕 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 中芯國(guó)際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/67 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/67;H01L21/68 |
| 代理公司: | 上海思微知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 31237 | 代理人: | 屈蘅;李時(shí)云 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 劃片 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及集成電路制造領(lǐng)域,尤其涉及一種晶圓劃片裝置。
背景技術(shù)
隨著半導(dǎo)體制造工藝的發(fā)展,器件尺寸逐漸逼近物理極限的限制,3D集成技術(shù)逐漸成為技術(shù)發(fā)展的主流方向。3D集成技術(shù)是指將多層平面器件堆疊起來(lái),通過(guò)穿透硅通孔實(shí)現(xiàn)在豎直方向上的互連。其至少包括了相互鍵合的兩片晶圓,在晶圓可靠性測(cè)試中,由于與傳統(tǒng)的單片晶圓結(jié)構(gòu)不同,電鏡樣品的備制也遇到新的問(wèn)題。
在傳統(tǒng)的備制電鏡樣品過(guò)程中,利用金剛石刀在晶圓表面劃痕,然后在劃痕兩邊施加作用力,晶圓沿著<110>方向開(kāi)裂,暴露出待檢測(cè)的截面。但在3D集成技術(shù)中,相互鍵合的兩片晶圓在開(kāi)裂時(shí)截面并不在一個(gè)平面上,兩片晶圓的截面會(huì)相差十幾微米甚至上百微米,因此還需要利用較長(zhǎng)時(shí)間進(jìn)行打磨或利用聚焦離子束(FIB)進(jìn)行研磨,使兩片晶圓的截面在同一個(gè)平面上,才能進(jìn)行檢測(cè)分析。但是這樣做,一方面增加了工藝成本,另一方面延長(zhǎng)了工藝周期,降低了效率。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型提供晶圓劃片裝置,用于3D集成技術(shù)的電鏡樣品的制備,能方便簡(jiǎn)便的對(duì)晶圓劃片,大大的節(jié)省了打磨或FIB研磨的時(shí)間,節(jié)省了工藝成本,提高了效率。
為解決上述問(wèn)題,本實(shí)用新型提供一種晶圓劃片裝置,用于3D集成技術(shù)的電鏡樣品的制備,其特征在于,所述晶圓劃片裝置包括第一部件和第二部件;
所述第一部件包括主體支架、調(diào)節(jié)螺絲、定位導(dǎo)軌以及劃片刀,所述主體支架包括豎直設(shè)置的側(cè)面支架,與所述側(cè)壁垂直并相互平行設(shè)置的頂面支架和底面支架;所述定位導(dǎo)軌設(shè)置于所述頂面支架的下側(cè)壁和底面支架的上側(cè)壁;所述調(diào)節(jié)螺絲包括上調(diào)節(jié)螺絲和下調(diào)節(jié)螺絲,所述上調(diào)節(jié)螺絲貫穿所述頂面支架以及頂面支架的下側(cè)壁的定位導(dǎo)軌,所述下調(diào)節(jié)螺絲貫穿所述底面支架以及底面支架的上側(cè)壁的定位導(dǎo)軌,所述上調(diào)節(jié)螺絲和下調(diào)節(jié)螺絲位于同一直線(xiàn)上;所述劃片刀與所述調(diào)節(jié)螺絲連接,通過(guò)調(diào)節(jié)調(diào)節(jié)螺絲控制所述劃片刀的高度;
所述第二部件的形狀為立方體,在所述第二部件上設(shè)置有兩個(gè)定位卡槽,所述定位卡槽對(duì)稱(chēng)分布在第二部件的頂面和底面并延伸貫通至一側(cè)面;所述定位卡槽底部設(shè)置有劃片開(kāi)口,連通兩個(gè)定位卡槽;與定位卡槽貫通的側(cè)面相對(duì)的側(cè)面上設(shè)置有與所述劃片開(kāi)口相互垂直的晶圓槽以及向立方體外部延伸的結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)針,所述晶圓槽至少有部分區(qū)域與所述劃片開(kāi)口重合,所述結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)針與定位卡槽的延伸方向位于同一直線(xiàn)上。
可選的,所述定位卡槽的寬度為1cm-3cm,深度為1cm-3cm。
可選的,所述第一部件的材質(zhì)為金屬或耐磨的塑料。
可選的,所述第二部件的材質(zhì)為金屬或耐磨的塑料。
可選的,所述結(jié)構(gòu)對(duì)準(zhǔn)針的直徑為0.5mm-2mm,長(zhǎng)度為7cm-13cm。
可選的,所述劃片刀的材質(zhì)為金剛石。
可選的,所述晶圓槽的寬度為1.5mm-3mm,深度為1.5cm-3cm。
與現(xiàn)有技術(shù)相比,本實(shí)用新型提供的晶圓劃片裝置,采用包括第一部件和第二部件,第二部件將晶圓固定并對(duì)準(zhǔn)待檢測(cè)的區(qū)域,所述第二部件用于放置晶圓并確定劃片方向,然后第一部件利用定位導(dǎo)軌沿著第二部件的定位卡槽的方向利用兩片對(duì)準(zhǔn)的劃片刀在晶圓的兩面同時(shí)進(jìn)行劃片,這樣得到的晶圓截面在同一平面上,節(jié)省了打磨或FIB研磨的工藝時(shí)間,大大的提高效率。
附圖說(shuō)明
圖1為本申請(qǐng)實(shí)施例的晶圓劃片裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2為本申請(qǐng)實(shí)施例的晶圓劃片裝置第一部件的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖3為本申請(qǐng)實(shí)施例的晶圓劃片裝置第一部件的正視圖;
圖4為本申請(qǐng)實(shí)施例的晶圓劃片裝置第一部件的俯視圖;
圖5為本申請(qǐng)實(shí)施例的晶圓劃片裝置第二部件的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖6為本申請(qǐng)實(shí)施例的晶圓劃片裝置第二部件的正視圖;
圖7為本申請(qǐng)實(shí)施例的晶圓劃片裝置第二部件的俯視圖。
具體實(shí)施方式
本實(shí)用新型的核心思想在于,提供一種晶圓劃片裝置,用于3D集成技術(shù)的電鏡樣品的制備,所述晶圓劃片裝置包括第一部件和第二部件,第二部件將晶圓固定并對(duì)準(zhǔn)待檢測(cè)的區(qū)域,第一部件根據(jù)定位導(dǎo)軌利用兩片對(duì)準(zhǔn)的劃片刀在晶圓的兩面同時(shí)進(jìn)行劃片,這樣得到的晶圓截面在同一平面上,節(jié)省了打磨或FIB研磨的工藝時(shí)間,大大的提高效率。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型提出的晶圓劃片裝置。
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H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
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H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造
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