[實用新型]大型石墨套碳化硅涂層用氣相沉積爐

有效

• 申請號: 201320671039.7
• 申請日: 2013-10-29
• 公開（公告）號: CN203530428U
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 鄭淵
• 申請（專利權）人: 成都潤封電碳有限公司
• 主分類號: C23C16/44
• 分類號: C23C16/44;C23C16/46;C23C16/52;C23C16/32
• 代理公司: 成都中亞專利代理有限公司 51126
• 代理人: 王崗

技術領域

本實用新型涉及一種氣相沉積爐，具體來講是一種大型石墨套碳化硅涂層用氣相沉積爐。

背景技術

多晶硅是制備單晶硅和光伏發電最主要的原材料，特別是隨著光伏產業的迅猛發展，太陽能電池對多晶硅的需求量迅速增長，但多晶硅的生產確是高能耗的產業。因此，世界各國都在競相開發能耗低，產能大的高純度多晶硅的制備方法。

目前，改良西門子法是制備高純多晶硅的主要方法，改良西門子法具有工藝成熟、經驗豐富、產品質量高等優點，但其具有工藝流程長、投資大、三氯氫硅還原率低、生產成本高、技術操作難度大等缺點。由于鐘罩式反應器只能采用間歇操作方式，在一定程度上限制了產能。而且多晶硅棒在拆裝和后續的破碎運輸階段容易引入雜質造成污染。

為了解決改良西門子法存在的問題，引入了流化床反應器生產多晶硅顆粒的方法。在流化床反應器中，含硅氣體通過氫還原反應生成單質硅并沉積到多晶硅顆粒表面。由于流化床反應器內參與反應的硅表面積大，使反應速率大大增加，所以該方法的生產效率高、電耗小、成本低，比較適用于大規模生產太陽能級多晶硅。但是，流化床反應器也存在一定的缺點，比如，化學氣相沉積高純度多晶硅的反應對溫度極為敏感，因此造成了反應生成的多晶硅會沉積到熱壁表面。

石英和石墨是流化床反應器的重要結構材料，但石英構件表面沉積了一定量的多晶硅后，傳熱效率大大降低給傳熱造成了困難。而且由于石英的熱膨脹系數較多晶硅相差一個數量級，當多晶硅沉積在相應壁面后，會造成該構件的破損，給工業操作帶來安全隱患。

目前己有針對化學氣相沉積方法制備多晶硅的流化床反應器的專利。建議采用石墨作為反應器內襯材料或導流筒材料，但石墨雖熱膨脹系數與多晶硅相接近但強度低下經不起多晶硅顆粒的摩擦會出現掉渣等現象，同時污染了多晶硅。需要在石墨表面沉積一層高硬度、高耐磨的碳化硅涂層。

石墨表面沉積碳化硅的工藝方法目前已比較成熟，但由于多晶硅流化床尺寸巨大，需要大規格筒狀石墨材料做表面氣相沉積碳化硅處理。目前，工業上廣泛應用的氣相沉積爐其爐膛型式基本都是圓筒狀，即在爐體內設有一個圓筒形加熱區，直徑不大，一般在500mm以下。無法適應大型炭/石墨材料產品的生產需求，只能對小型炭/石墨制品作氣相沉積。

即使爐膛尺寸能滿足大型炭/石墨材料產品的生產需求，但由于其爐膛尺寸太大，爐子升溫時間長，爐膛各部溫差也大直接影響了沉積質量，從而造成爐膛空間浪費，從而增加了能耗。

實用新型內容

本實用新型的目的在于在此提供一種適用于大型筒狀炭/石墨制品表面涂層的氣相沉積爐，且具有爐膛升溫時間短，溫度分布均勻，空間使用合理的特點。

本實用新型是這樣實現的，構造一種大型石墨套碳化硅涂層用氣相沉積爐；其特征在于：

包括爐體、爐蓋及爐底，在所述爐體內從外到里依次有爐殼、外層保溫屏、外層發熱體、沉積腔、內層發熱體及內層保溫屏；所述的沉積腔為環狀，由沉積腔外壁、沉積腔內壁、沉積腔頂蓋及沉積腔底板組成；沉積腔底板上有進氣孔；

所述沉積腔外壁的外側配置有外層發熱體，所述的沉積腔內壁的外側配置有內層發熱體；所述的內層發熱體的內側有內層保溫屏；所述的爐底配置有支承件徹體；所述內、外層保溫屏的頂部設有保溫蓋，下部設有保溫墊層；由外層保溫屏、內層保溫屏、保溫蓋及保溫墊層構成了一個封閉的環狀保溫腔；進氣管設于爐底，進氣管為金屬接管；分別從爐底進入，進氣管分布于支承件徹體兩個同心環之間；進氣管的內口處有氣體分布罩；氣體分布罩為空心圓柱狀，四周及頂面均勻布滿小孔。

根據本實用新型所述大型石墨套碳化硅涂層用氣相沉積爐，其特征在于：所述的沉積腔底板的進氣孔是沿所述沉積腔的底部呈均勻分布的。

根據本實用新型所述大型石墨套碳化硅涂層用氣相沉積爐，其特征在于：所述的沉積腔內設有熱電偶A，熱電偶A從上部插入，并固定在爐蓋上；保溫腔內設有熱電偶B和熱電偶C，熱電偶B從側面插入，并固定在爐殼上，熱電偶C從上部插入到沉積腔內壁與內層發熱體之間的空隙中，并固定在爐蓋上。

根據本實用新型所述大型石墨套碳化硅涂層用氣相沉積爐，其特征在于：所述沉積腔是通過支承件砌體支承在保溫腔中間的，整個支承件砌體呈兩個同心環狀，支承件砌體的上部通過沉積腔底板支承了整個沉積腔，支承件砌體的下部支承在爐底內填的耐火材料層上。