[實用新型]基于嵌入式微控制器的超級電容高能脈沖源有效
| 申請號: | 201320668659.5 | 申請日: | 2013-10-29 |
| 公開(公告)號: | CN203537015U | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發明(設計)人: | 荊丙禮 | 申請(專利權)人: | 荊丙禮 |
| 主分類號: | H02J7/00 | 分類號: | H02J7/00 |
| 代理公司: | 西安新思維專利商標事務所有限公司 61114 | 代理人: | 韓翎 |
| 地址: | 710086 陜西省*** | 國省代碼: | 陜西;61 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 基于 嵌入 式微 控制器 超級 電容 高能 脈沖 | ||
1.一種基于嵌入式微控制器的超級電容高能脈沖源,包括嵌入式微控制器主控單元(1)和超級電容(4),其特征在于:所述的主控單元(1)分別連接電容充電控制開關單元(3)和電池充電控制開關單元(6),在電容充電控制開關單元(3)和電池充電控制開關單元(6)之間連接超級電容單元(4),超級電容單元(4)連接電容均衡電路(5),充電源(2)依次串聯連接電容充電開關單元(3)、電池充電控制開關單元(6)至電池單元(7)。
2.根據權利要求1所述的基于嵌入式微控制器的超級電容高能脈沖源,其特征在于:所述的電容均衡電路單元(5)包括自檢測閉環均衡電路和微控制器閉環均衡電路,超級電容單元(4)與電容均衡電路單元(5)并聯連接,且超級電容單元(4)為超級電容單體或并聯組合。
3.根據權利要求2所述的基于嵌入式微控制器的超級電容高能脈沖源,其特征在于:所述自檢測閉環均衡電路包括可控電子負載A單元(8)、閾值檢測/調理單元(9)和驅動單元(10),所述的超級電容單元(4)與可控電子負載A單元(8)并聯連接,可控電子負載A單元(8)上端與閾值檢測/調理單元(9)連接,可控電子負載A單元(8)控制端和閾值檢測/調理單元(9)之間連接驅動單元(10)。
4.根據權利要求1或2所述的基于嵌入式微控制器的超級電容高能脈沖源,其特征在于:所述微控制器閉環均衡電路,包括可控電子負載B單元(11)、接口單元(12)和信號調理/驅動單元(13),所述的超級電容單元(4)與可控電子負載B單元(11)并聯連接,可控電子負載B單元(11)控制端與信號調理/驅動單元(13)連接,微控制器主控單元(1)分別連接接口單元(12)和信號調理/驅動單元(13)的另一端。?
5.根據權利要求3所述的基于嵌入式微控制器的超級電容高能脈沖源,其特征在于:單組超級電容單元(4)與電容均衡電路單元(5)并聯構成超級電容應用體,多個超級電容應用體的連接為串聯連接。
6.根據權利要求4所述的基于嵌入式微控制器的超級電容高能脈沖源,其特征在于:單組超級電容單元(4)與電容均衡電路單元(5)并聯構成超級電容應用體,多個超級電容應用體的連接為串聯連接。
7.根據權利要求1所述的基于嵌入式微控制器的超級電容高能脈沖源,其特征在于:所述電容充電開關單元(3)和電池充電開關單元(6)包括各種電子開關器件構成的開關電路,以及固態開關、電磁開關或光電開關模塊,所述電子開關器件包括開關三極管、達林頓管、IGBT、MOS功率開關、單向或雙向可控硅晶體管開關器件。?
8.根據權利要求6所述的基于嵌入式微控制器的超級電容高能脈沖源,其特征在于:所述的電容充電控制開關單元(3)用于高能脈沖源電壓幅度調節。
9.根據權利要求1所述的基于嵌入式微控制器的超級電容高能脈沖源,其特征在于:所述嵌入式微控制器單元(1)包括8位、16位、32位MCU、DSP、PLC、FPGA及SOC嵌入式微控制器及可編程邏輯器件。
10.根據權利要求1所述的基于嵌入式微控制器的超級電容高能脈沖源,其特征在于:所述微控制器主控單元(1)輸出不同時序和占空比的PWM信號控制電容充電開關單元(3)和電池充電開關單元(6),并實現系統數據采集、信號處理、算法優化、過程管理、全部終端控制及人機界面接口。
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