[實用新型]一種新型白光LED結構

有效

• 申請號: 201320660066.4
• 申請日: 2013-10-25
• 公開（公告）號: CN203607399U
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 葉國光;郝銳;羅長得
• 申請（專利權）人: 廣東德力光電有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種新型白光LED結構，包括通過膠粘合的藍光LED芯片和紅黃光LED芯片，其特征在于：所述藍光芯片包括襯底、在襯底上依次生長的緩沖層、DBR層、n型半導體材料層、發光層、電子阻擋層、p型半導體材料層和透明電極層；所述紅黃光芯片包括襯底、在襯底上依次生長的n型半導體材料層、發光層、p型半導體材料層和透明電極層，透明電極層上設有反射層。

2.根據權利要求1所述的新型白光LED結構，其特征在于：所述藍光芯片包括有藍寶石襯底、GaN緩沖層、DBR層、n型GaN層、由InGaN和GaN材料層組成的發光層、AlGaN電子阻擋層、p型GaN層和ITO透明電極層。

3.根據權利要求1所述的新型白光LED結構，其特征在于：所述紅黃光芯片包括有GaP襯底、n型AlInGaN層、發光波長為560-600nm的Al_xIn_yGa_zP發光層、p型AlInGaN層、ITO透明電極層和反射層，其中AlxInyGazP發光層中，x和y的摩爾分數均為0.25-0.5，x=y，z=1-x-y。

4.根據權利要求1所述的新型白光LED結構，其特征在于：所述紅黃光芯片的尺寸大于或等于藍光芯片的尺寸。

5.根據權利要求1或3所述的新型白光LED結構，其特征在于：所述DBR層由2-15個周期材料層組成，每一種周期材料層由AlGaN、InGaN和GaN中的兩種材料層組成，每一材料層的厚度為藍光波長的1/4、1/8或1/16除以材料的折射率。

6.根據權利要求1所述的新型白光LED結構，其特征在于：所述反射層為金屬反射層和/或DBR結構，DBR結構材料為AlGaN、InGaN和GaN中的兩種。

7.根據權利要求1所述的新型白光LED結構，其特征在于：所述膠的材料為有機硅膠、銀漿、導熱膠、合金焊中的一種或多種，膠的厚度為100nm-100?um。

8.根據權利要求1或2所述的新型白光LED結構，其特征在于：所述藍光芯片中，p型半導體材料層上設有陽極，n型半導體材料層上設有陰極，陰、陽極均設有焊線陰、陽極材料均為Ti、Ni、Au、Ag、Pt、Cr和Wu中的一種或多種，焊線材料為Cu、Al和Ag中的一種或多種。

9.根據權利要求1或3所述的新型白光LED結構，其特征在于：所述紅黃光芯片中，p型半導體材料層上設有陽極，n型半導體材料層上設有陰極，陰、陽極均設有焊線，陰、陽極材料均為Ti、Ni、Au、Ag、Pt、Cr和Wu中的一種或多種，焊線材料為Cu、Al和Ag中的一種或多種。