[實用新型]一種新型白光LED結構

有效

• 申請號: 201320660066.4
• 申請日: 2013-10-25
• 公開（公告）號: CN203607399U
• 公開（公告）日: 2014-05-21
• 發明（設計）人: 葉國光;郝銳;羅長得
• 申請（專利權）人: 廣東德力光電有限公司
• 主分類號: H01L25/075
• 分類號: H01L25/075
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及LED芯片技術領域，尤其是一種新型白光LED結構。?

背景技術

發光二極管（light?emitting?diodle，簡稱LED）根據不同發光材料的化學結構和屬性，分為無機LED（一般稱為LED）和有機LED（一般稱為OLEDs）。在1993年，藍色氮化鎵（GaN）LED技術獲得突破，并在此基礎上1996年實現了無機LED白光發射。由于白光LED具有低電壓驅動、全固態、低功耗、長效可靠等優點，白光LED器件在照明相關領域的應用研究都受到了學術和產業界的高度重視。因為白光LED是一種符合環保節能綠色照明理念的高效光源，因此，目前以白光LED為主的半導體照明技術（第四代照明技術）在全世界范圍內得到了大力的推動和發展，正在形成巨大的產業。白光LED器件實現白光的方式主要有三種：１、藍光LED芯片激發黃色熒光粉，通過復合得到白光；2、紫外LED激發紅、綠、藍三基色熒光粉，通過復合得到白光；3、紅、綠、藍三基色LED多芯片通過集成封裝從而得到白光。?

第二種白光制作需選擇與紫外光波長相匹配的紅藍綠三種熒光粉，UV光源，抗UV封裝材料，而這三種材料的制作和開發都較困難，故第二種白光在市面上也較少。第三種白光制作方法面臨著混光困難，使用者在此光源前方各處可輕易觀察到多種不同的顏色，同時三種光的驅動較復雜，在不同的電流下出現了顏色的變化，第三種在市面也較少。目前最常見的是第一種，即在藍光LED芯片便面涂覆一層黃色熒光粉來實現白光的發射，采用該方法實現的熒光粉涂覆技術，不僅生產效率不高，而且同批次的產品色溫差異大。在后續得制程中，白光LED固定于杯碗正中央并進行固晶過程，LED晶圓在固晶的過程由于設備精度的問題，不能保證晶圓粘在杯碗的正中間，對于涂覆有熒光粉的混合層，由于芯片未在中間，導致兩邊的光程差不一樣從而產生顏色的不均勻性。?

發明內容

針對現有技術的不足，本實用新型提供一種新型白光LED結構，能在無熒光粉的情況下實現白光LED，以有效提高芯片發光效率和延長白光LED使用壽命。?

本實用新型的技術方案為：一種新型白光LED結構，包括通過膠粘合的藍光LED芯片和紅黃光LED芯片，所述藍光芯片包括襯底、在襯底上依次生長的緩沖層、DBR層、n型半導體材料層、發光層、電子阻擋層、p型半導體材料層和透明電極層；?

所述藍光芯片中，p型半導體材料層上設有陽極，n型半導體材料層上設有陰極，陰、陽極均設有焊線，陰、陽極材料均為Ti、Ni、Au、Ag、Pt、Cr和Wu中的一種或多種，焊線材料為Cu、Al和Ag中的一種或多種；

所述DBR層由2-15個周期材料層組成，每一周期材料層由AlGaN、InGaN和GaN中的兩種材料層組成，每一種材料層的厚度為藍光波長的1/4、1/8或1/16除以材料的折射率，藍光芯片中的DBR層具有使藍光不能往下發射而紅光卻能透出并從頂部發射的效果。

所述紅黃光芯片包括襯底、在襯底上依次生長的n型半導體材料層、發光層、p型半導體材料層和透明電極層；透明電極層上設有反射層，反射層為金屬反射層和/或DBR結構，DBR結構材料為AlGaN、InGaN和GaN中的兩種，紅黃光芯片發射的光能被位于底部的該反射層射回而從頂部發射；?

所述紅黃光芯片中，p型半導體材料層上設有陽極，n型半導體材料層上設有陰極，陰、陽極均設有焊線，陰、陽極材料均為Ti、Ni、Au、Ag、Pt、Cr和Wu中的一種或多種，焊線材料為Cu、Al和Ag中的一種或多種；

所述紅黃光芯片的尺寸大于或等于藍光芯片的尺寸，通過膠粘合到一起，而實現白光的發射，膠的材料可為有機硅膠、銀漿、導熱膠、合金焊中的一種或多種，膠的厚度優選為100nm-100?um，以減少紅黃光的吸收。

優選地，藍光芯片和紅黃光芯片中的襯底均為原始襯底、減薄襯底或表面粗化襯底。?

所述紅黃光芯片與藍光芯片的陰、陽極分別位于整個芯片結構的左、右兩側，以減少了電極對光的吸收。?