[實用新型]提高發光效率的LED芯片結構有效
| 申請號： | 201320652417.7 | 申請日： | 2013-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN203521452U | 公開（公告）日： | 2014-04-02 |
| 發明（設計）人： | 鄧群雄;郭文平;柯志杰;黃慧詩 | 申請（專利權）人： | 江蘇新廣聯科技股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L33/10 | 分類號： | H01L33/10 |
| 代理公司： | 無錫市大為專利商標事務所 32104 | 代理人： | 曹祖良 |
| 地址： | 214192 江蘇省無錫*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 提高 發光 效率 led 芯片 結構 | ||
【權利要求書】：
1.一種提高發光效率的LED芯片結構，包括襯底（1），襯底（1）上設置N型氮化鎵層（2），其特征是：在所述N型氮化鎵層（2）上表面設置量子阱（3），在量子阱（3）上表面設置P型氮化鎵層（4），在P型氮化鎵層（4）上表面設置第一金屬膜（5-1），在第一金屬膜（5-1）上表面設置P電極（6），在P型氮化鎵層（4）上表面設置氧化銦錫薄膜（8），該氧化銦錫薄膜（8）覆蓋P型氮化鎵層（4）和第一金屬膜（5-1）；在所述N型氮化鎵層（2）上表面具有刻蝕形成的刻蝕區域，在刻蝕區域設置N電極（7），N電極（7）的底部設置第二金屬膜（5-2），N電極（7）與N型氮化鎵層（2）歐姆接觸。
2.如權利要求1所述的提高發光效率的LED芯片結構，其特征是：所述第一金屬膜（5-1）與P型氮化鎵層（4）之間非歐姆接觸。
3.如權利要求2所述的提高發光效率的LED芯片結構，其特征是：所述第一金屬膜（5-1）和第二金屬膜（5-2）為鉑、銠或鋁。
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