[實用新型]一種LED芯片

有效

• 申請號: 201320649857.7
• 申請日: 2013-10-22
• 公開（公告）號: CN203617332U
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 張戈
• 申請（專利權）人: 惠州比亞迪實業有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型屬于半導體技術領域，具體涉及一種LED芯片。?

背景技術

由于LED具有環保、節能、壽命長等優點，得到的廣泛的應用。圖1為現有技術中的水平結構LED芯片的結構示意圖。由圖1可知，該LED芯片具有如下特征：（1）該外延片結構中生長有常規的N型半導體層2'；（2）P電極8'直接沉積在P型半導體5'表面的ITO材料的電流擴散層（Current?Diffusion?Layer，CDL）7'之上，且P電極8'下方設置有SiO₂材料的電流阻擋層（Current?Blocking?Layer，CBL）6'；（3）N電極5'直接接觸N型半導體層2'。?

在該LED芯片中，由于ITO材料的導電性好，而電流會選擇電阻最小的路徑進行傳輸擴散，所以電流從P電極8'注入后會沿電流擴散層7'表面快速擴散到臺階區域，然后再直接向下依次穿過P型半導體層5'、電子阻擋層（Electron?Blocking?Layer，EBL）4'、多量子阱（Multiple?Quantum?Wells，MQW）3'后進入N電極。該現象對LED芯片造成了一系列不良影響。首先，P型半導體層5'臺階邊緣和N型半導體層2'中N電極5'附近的位置的電流密度很強，容易出現電流擁擠效應，從而導致電壓偏高。其次，由于絕大部分電流是電流阻擋層6?'形成的臺階邊緣處向下穿越多量子阱3'，其它區域（特別是電流阻擋層6?'正下方中心區域）多量子阱3'中注入的電流密度很低，發光很少，導致整體LED芯片的發光亮度偏低。?

發明內容

本實用新型旨在至少在一定程度上解決上述技術問題之一或至少提供一種有用的商業選擇。為此，本實用新型的一個目的在于提出一種驅動電壓低、發光亮度高的LED芯片。實用新型本實用新型提供一種LED芯片，包括：?

襯底；

形成在襯底之上的緩沖層，所述緩沖層包括成核層和形成在成核層上的本征層；

N型半導體層，所述N型半導體層位于所述緩沖層之上；

多量子阱，所述多量子阱位于所述N型半導體層之上，所述多量子阱的面積小于所述N型半導體層的面積，以在所述N型半導體層上形成N電極安裝區；

電子阻擋層，所述電子阻擋層位于所述多量子阱之上；

P型半導體層，所述P型半導體層位于所述電子阻擋層之上，所述P型半導體層具有線形開口，所述線形開口的底部與所述電子阻擋層接觸；

N電極，所述N電極形成在所述N電極安裝區上，；

P電極，所述P電極包括：

P電極線部，所述P電極線部填充所述線形開口的底部；

P電極端部，所述P電極端部位于所述P型半導體層之上并且位于所述線形開口上邊緣的一端；和

P電極連接部，所述P電極連接部連接所述P電極端部和所述P電極線部的一端；以及

隔離層，所述隔離層位于所述P電極端部與所述P型半導體層之間，所述隔離層的形狀與所述P電極端部的形狀相匹配。

進一步，所述N電極包括：?

N?電極線部，所述N電極線部與所述線形開口平行；和

N電極端部，所述N電極端部與所述N電極線部的一端相連。

進一步，所述N電極安裝區靠近所述LED芯片的一側，所述線形開口靠近所述LED芯片的另一側。?

進一步，所述隔離層延伸至所述線形開口的側壁。?

進一步，所述N型半導體層包括：?

第一N型半導體層，所述第一N型半導體層位于所述緩沖層之上；以及

第二N型半導體層，所述第二N型半導體層位于所述第一N型半導體層之上，其中

所述第一N型半導體層的面積大于所述第二N型半導體層的面積，以在所述第一N型半導體層上形成N電極安裝區。

進一步，所述LED芯片還包括：?

N電極電流擴散層，所述N電極電流擴散層位于所述N電極與所述N型半導體層之間，且所述N電極電流擴散層的形狀與所述N電極的形狀相匹配。

進一步，所述N電極電流擴散層由ITO構成。?

進一步，所述LED芯片還包括：?

出光層，所述出光層位于所述P型半導體層頂表面的未被所述P電極覆蓋的區域之上。

進一步，所述出光層由ITO構成。?

實用新型本實用新型的附加方面和優點將在下面的描述中部分給出，部分將從下面的描述中變得明顯，或通過本實用新型的實踐了解到。?

附圖說明