[實用新型]一種LED芯片

有效

• 申請號: 201320649857.7
• 申請日: 2013-10-22
• 公開（公告）號: CN203617332U
• 公開（公告）日: 2014-05-28
• 發明（設計）人: 張戈
• 申請（專利權）人: 惠州比亞迪實業有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/44
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種LED芯片，其特征在于，包括：

襯底；

形成在襯底之上的緩沖層，所述緩沖層包括成核層和形成在成核層上的本征層；

N型半導體層，所述N型半導體層位于所述緩沖層之上；

多量子阱，所述多量子阱位于所述N型半導體層之上，所述多量子阱的面積小于所述N型半導體層的面積，以在所述N型半導體層上形成N電極安裝區；

電子阻擋層，所述電子阻擋層位于所述多量子阱之上；

P型半導體層，所述P型半導體層位于所述電子阻擋層之上，所述P型半導體層具有線形開口，所述線形開口的底部與所述電子阻擋層接觸；

N電極，所述N電極形成在所述N電極安裝區上，；

P電極，所述P電極包括：

P電極線部，所述P電極線部填充所述線形開口的底部；

P電極端部，所述P電極端部位于所述P型半導體層之上并且位于所述線形開口上邊緣的一端；和

P電極連接部，所述P電極連接部連接所述P電極端部和所述P電極線部的一端；以及

隔離層，所述隔離層位于所述P電極端部與所述P型半導體層之間，所述隔離層的形狀與所述P電極端部的形狀相匹配。

2.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N電極包括：

N?電極線部，所述N電極線部與所述線形開口平行；和

N電極端部，所述N電極端部與所述N電極線部的一端相連。

3.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N電極安裝區靠近所述LED芯片的一側，所述線形開口靠近所述LED芯片的另一側。

4.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述隔離層延伸至所述線形開口的側壁。

5.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，所述N型半導體層包括：

第一N型半導體層，所述第一N型半導體層位于所述緩沖層之上；以及

第二N型半導體層，所述第二N型半導體層位于所述第一N型半導體層之上，其中

所述第一N型半導體層的面積大于所述第二N型半導體層的面積，以在所述第一N型半導體層上形成N電極安裝區。

6.如權利要求1所述的LED芯片，其特征在于，還包括：

N電極電流擴散層，所述N電極電流擴散層位于所述N電極與所述N型半導體層之間，且所述N電極電流擴散層的形狀與所述N電極的形狀相匹配。

7.如權利要求6所述的LED芯片，其特征在于，所述N電極電流擴散層由ITO構成。

8.如權利要求1-5中任一項所述的LED芯片，其特征在于，還包括：

出光層，所述出光層位于所述P型半導體層頂表面的未被所述P電極覆蓋的區域之上。

9.如權利要求8所述的LED芯片，其特征在于，所述出光層由ITO構成。