[實(shí)用新型]紫外雪崩二極管測(cè)試裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320642914.9 | 申請(qǐng)日: | 2013-10-18 |
| 公開(公告)號(hào): | CN203490338U | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 申志輝;羅木昌;周勛;龍維剛 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 中國(guó)電子科技集團(tuán)公司第四十四研究所 |
| 主分類號(hào): | G01R31/26 | 分類號(hào): | G01R31/26 |
| 代理公司: | 重慶輝騰律師事務(wù)所 50215 | 代理人: | 侯懋琪;侯春樂 |
| 地址: | 400060 重慶*** | 國(guó)省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 紫外 雪崩 二極管 測(cè)試 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
????本實(shí)用新型涉及一種半導(dǎo)體器件測(cè)試裝置,尤其涉及一種紫外雪崩二極管測(cè)試裝置。
背景技術(shù)
雪崩二極管(APD)是高速、高靈敏度的光電二極管,與PIN光電二極管相比,APD可以測(cè)量更微弱的光信號(hào),并具有更低的噪聲。
紫外雪崩二極管是雪崩二極管的一種,我國(guó)對(duì)于紫外雪崩二極管的研究起步較晚,缺少合適的測(cè)試設(shè)備,尤其是光學(xué)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)基本依賴國(guó)外進(jìn)口;由于這些進(jìn)口設(shè)備一般都定位于高精度測(cè)試項(xiàng)目,導(dǎo)致設(shè)備價(jià)格高昂、操作復(fù)雜,難以滿足大批量、高效率的常規(guī)測(cè)試需求。
實(shí)用新型內(nèi)容
針對(duì)背景技術(shù)中的問題,本實(shí)用新型提出了一種紫外雪崩二極管測(cè)試裝置,其結(jié)構(gòu)為:所述測(cè)試裝置由光源、導(dǎo)軌、光學(xué)組件、夾具和殼體組成;光源、光學(xué)組件和夾具順次設(shè)置于導(dǎo)軌上,且光源、光學(xué)組件和夾具均與導(dǎo)軌滑動(dòng)連接;殼體將光源、導(dǎo)軌、光學(xué)組件和夾具包裹在內(nèi);待測(cè)件設(shè)置于夾具上,待測(cè)件與一測(cè)試源表相連。
本發(fā)明的工作原理是:測(cè)試之前,預(yù)先調(diào)節(jié)好光源、光學(xué)組件和夾具的相互位置,并通過鎖緊裝置固定。裝夾好待測(cè)件后,先將測(cè)試源表的電壓置零,記錄待測(cè)件在暗條件下的電流值Id1,然后點(diǎn)亮光源,讓光源發(fā)出的光照射到待測(cè)件上,記錄待測(cè)件在零偏置電壓下的光生電流值Ip1;增大測(cè)試源表電壓至待測(cè)件的光生電流值顯著增大,記錄此時(shí)的光生電流值Ip2,然后關(guān)閉光源,記錄待測(cè)件的暗電流值Id2。將測(cè)試過程中記錄到的參數(shù)代入公式M=(Ip2-Id2)/(Ip1-Id1)進(jìn)行計(jì)算,即可獲得待測(cè)件在對(duì)應(yīng)偏置電壓下的雪崩增益值M。
本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,成本低廉,可通過導(dǎo)軌對(duì)光源、光學(xué)組件和夾具的位置進(jìn)行方便、靈活的調(diào)節(jié),雖然其測(cè)量精度不如現(xiàn)有設(shè)備,但操作特別簡(jiǎn)單,測(cè)試效率很高,十分適合大批量器件的常規(guī)測(cè)試需求。
優(yōu)選地,所述待測(cè)件為紫外雪崩二極管。
優(yōu)選地,所述光源采用紫外LED。
優(yōu)選地,所述紫外LED的中心波長(zhǎng)范圍為200nm~400nm.。
為了較為精確地調(diào)節(jié)間距,優(yōu)選地,所述導(dǎo)軌上設(shè)置有刻度。
優(yōu)選地,所述光學(xué)組件包括透鏡、衰減片和光學(xué)狹縫。具體應(yīng)用時(shí),本領(lǐng)域技術(shù)人員可根據(jù)需求將透鏡、衰減片和光學(xué)狹縫進(jìn)行組合搭配,且透鏡、衰減片和光學(xué)狹縫的相互位置及他們與光源、夾具的相互位置都可獨(dú)立調(diào)節(jié)。
優(yōu)選地,所述殼體上端面設(shè)置有翻蓋。
本實(shí)用新型的有益技術(shù)效果是:結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單、成本低廉,操作十分簡(jiǎn)單、方便,可滿足對(duì)大批量器件進(jìn)行高效測(cè)試的需求。
附圖說明
圖1、本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖中各個(gè)標(biāo)記所對(duì)應(yīng)的部件分別為:光源1、導(dǎo)軌2、透鏡3、衰減片/光學(xué)狹縫4、待測(cè)件5、夾具6、殼體7、測(cè)試源表8。
具體實(shí)施方式
一種紫外雪崩二極管測(cè)試裝置,其結(jié)構(gòu)為:所述測(cè)試裝置由光源1、導(dǎo)軌2、光學(xué)組件、夾具6和殼體7組成;光源1、光學(xué)組件和夾具6順次設(shè)置于導(dǎo)軌2上,且光源1、光學(xué)組件和夾具6均與導(dǎo)軌2滑動(dòng)連接;殼體7將光源1、導(dǎo)軌2、光學(xué)組件和夾具6包裹在內(nèi);待測(cè)件設(shè)置于夾具6上,待測(cè)件與一測(cè)試源表相連。
進(jìn)一步地,所述待測(cè)件為紫外雪崩二極管。
進(jìn)一步地,所述光源1采用紫外LED。
進(jìn)一步地,所述紫外LED的中心波長(zhǎng)范圍為200nm~400nm.。
進(jìn)一步地,所述導(dǎo)軌2上設(shè)置有刻度。
進(jìn)一步地,所述光學(xué)組件包括透鏡、衰減片和光學(xué)狹縫。
進(jìn)一步地,所述殼體7上端面設(shè)置有翻蓋。
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G01R 測(cè)量電變量;測(cè)量磁變量
G01R31-00 電性能的測(cè)試裝置;電故障的探測(cè)裝置;以所進(jìn)行的測(cè)試在其他位置未提供為特征的電測(cè)試裝置
G01R31-01 .對(duì)相似的物品依次進(jìn)行測(cè)試,例如在成批生產(chǎn)中的“過端—不過端”測(cè)試;測(cè)試對(duì)象多點(diǎn)通過測(cè)試站
G01R31-02 .對(duì)電設(shè)備、線路或元件進(jìn)行短路、斷路、泄漏或不正確連接的測(cè)試
G01R31-08 .探測(cè)電纜、傳輸線或網(wǎng)絡(luò)中的故障
G01R31-12 .測(cè)試介電強(qiáng)度或擊穿電壓
G01R31-24 .放電管的測(cè)試
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