[實用新型]紫外雪崩二極管測試裝置有效
| 申請號: | 201320642914.9 | 申請日: | 2013-10-18 |
| 公開(公告)號: | CN203490338U | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發明(設計)人: | 申志輝;羅木昌;周勛;龍維剛 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第四十四研究所 |
| 主分類號: | G01R31/26 | 分類號: | G01R31/26 |
| 代理公司: | 重慶輝騰律師事務所 50215 | 代理人: | 侯懋琪;侯春樂 |
| 地址: | 400060 重慶*** | 國省代碼: | 重慶;85 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 紫外 雪崩 二極管 測試 裝置 | ||
1.一種紫外雪崩二極管測試裝置,其特征在于:所述測試裝置由光源(1)、導軌(2)、光學組件、夾具(6)和殼體(7)組成;光源(1)、光學組件和夾具(6)順次設置于導軌(2)上,且光源(1)、光學組件和夾具(6)均與導軌(2)滑動連接;殼體(7)將光源(1)、導軌(2)、光學組件和夾具(6)包裹在內;待測件設置于夾具(6)上,待測件與一測試源表相連。
2.根據權利要求1所述的紫外雪崩二極管測試裝置,其特征在于:所述待測件為紫外雪崩二極管。
3.根據權利要求2所述的紫外雪崩二極管測試裝置,其特征在于:所述光源(1)采用紫外LED。
4.根據權利要求3所述的紫外雪崩二極管測試裝置,其特征在于:所述紫外LED的中心波長范圍為200nm~400nm.。
5.根據權利要求1所述的紫外雪崩二極管測試裝置,其特征在于:所述導軌(2)上設置有刻度。
6.根據權利要求1所述的紫外雪崩二極管測試裝置,其特征在于:所述光學組件包括透鏡、衰減片和光學狹縫。
7.根據權利要求1所述的紫外雪崩二極管測試裝置,其特征在于:所述殼體(7)上端面設置有翻蓋。
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