[實用新型]一種用于AMOLED聚合物襯底的抗激光損傷薄膜結構

有效

• 申請號: 201320636838.0
• 申請日: 2013-10-15
• 公開（公告）號: CN203589031U
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 朱少鵬;林立;陳紅
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L27/13
• 分類號: H01L27/13;H01L51/52
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

1.一種用于AMOLED聚合物襯底的抗激光損傷薄膜結構，其設置于聚合物襯底上，其特征在于，所述薄膜結構包括疊加的高折射率薄膜層和低折射率薄膜層，其中所述的高折射率薄膜層和低折射率薄膜層在所述聚合物襯底上均設置至少兩層，所述薄膜結構的頂層和底層均為所述的高折射率薄膜層。

2.根據權利要求1所述的抗激光損傷薄膜結構，其特征在于，所述聚合物襯底上所沉積的所述高折射率薄膜層和低折射率薄膜層呈交替分布。

3.根據權利要求1或2所述的抗激光損傷薄膜結構，其特征在于，所述高折射率薄膜層和低折射率薄膜層中的每層膜厚t均滿足t=zλ_H或L/4，其中z為奇數，λ_H或L為準分子激光退火所用激光在所述的高折射率薄膜層或低折射率薄膜層內的波長。

4.根據權利要求3所述的抗激光損傷薄膜結構，其特征在于，各所述的高折射率薄膜層為氮化硅薄膜層、二氧化鈦薄膜層、五氧化二鉭薄膜層、氧化鋯薄膜層、鈦酸鑭薄膜層、氧化鉿薄膜層和硒化鋅薄膜層中的一種或其中任意幾種的組合。

5.根據權利要求4所述的抗激光損傷薄膜結構，其特征在于，各所述的低折射率薄膜層為氟化鎂薄膜層、氧化硅薄膜層、氧化鋁薄膜層和氮化鈦薄膜層中的一種或其中任意幾種的組合。

6.根據權利要求5所述的抗激光損傷薄膜結構，其特征在于，所述的高折射率薄膜層為3-10層，所述的低折射率薄膜層為2-8層。