[實用新型]一種用于AMOLED聚合物襯底的抗激光損傷薄膜結構

有效

• 申請號: 201320636838.0
• 申請日: 2013-10-15
• 公開（公告）號: CN203589031U
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發明（設計）人: 朱少鵬;林立;陳紅
• 申請（專利權）人: 昆山工研院新型平板顯示技術中心有限公司;昆山國顯光電有限公司
• 主分類號: H01L27/13
• 分類號: H01L27/13;H01L51/52
• 代理公司: 北京三聚陽光知識產權代理有限公司 11250
• 代理人: 彭秀麗

技術領域

本實用新型屬于柔性顯示技術、薄膜技術和光學設計范疇，更具體地講，涉及一種柔性主動矩陣有機電致發光顯示器中具備抗激光的薄膜結構。

背景技術

基于聚合物襯底和低溫多晶硅薄膜晶體管（LTPS?TFT）的柔性主動矩陣有機電致發光顯示器（AMOLED）在制作過程中，需要對非晶硅（a-Si）進行準分子激光退火（ELA）結晶化，以提高溝道遷移率，使TFT器件符合驅動OLED器件的要求。而a-Si在制備過程中由于雜質和缺陷等，會出現針孔，在ELA時，高能激光會透過針孔照射聚合物襯底。對于傳統的玻璃襯底，完全可以耐受這樣的高能激光照射；而當聚合物柔性襯底被采用時，由于其較低的玻璃化溫度和對紫外光的高吸收率，難以耐受ELA的激光能量密度，有燒毀襯底的風險。

圖1為現有技術方案。聚合物襯底101為襯底，鈍化膜102沉積在聚合物襯底101上，其中的鈍化膜102一般為氧化硅和氮化硅。在之上沉積非晶硅103，沉積過程中由于雜質或缺陷等原因，會出現針孔104。接下來進行ELA時，激光105會透過針孔104，而鈍化膜102不足以遮擋高能紫外激光105的入射，高能紫外激光105會照射至聚合物襯底101上，從而導致聚合物襯底101的損傷。

實用新型內容

為了解決聚合物柔性襯底易受透過針孔的高能激光損傷的技術問題，提高AMOLED中聚合物襯底的抗激光損傷能力，本實用新型提供了一種用于AMOLED聚合物襯底的抗激光損傷薄膜結構。

所述技術方案如下：

一種用于AMOLED聚合物襯底的抗激光損傷薄膜結構，其設置于聚合物襯底上，所述薄膜結構包括疊加的高折射率薄膜層和低折射率薄膜層，其中所述的高折射率薄膜層和低折射率薄膜層在所述聚合物襯底上均設置至少兩層，所述薄膜結構的頂層和底層均為所述的高折射率薄膜層。

優選地，所述聚合物襯底上所沉積的所述高折射率薄膜層和低折射率薄膜層呈交替分布。

所述高折射率薄膜層和低折射率薄膜層中的每層膜厚t均滿足t=zλ_H或L/4，其中z為奇數，λ_H或L為準分子激光退火所用激光在所述高折射率薄膜層或低折射率薄膜層內的波長。

各所述的高折射率薄膜層為氮化硅薄膜層、二氧化鈦薄膜層、五氧化二鉭薄膜層、氧化鋯薄膜層、鈦酸鑭薄膜層、氧化鉿薄膜層和硒化鋅薄膜層中的一種或其中任意幾種的組合。

各所述的低折射率薄膜層為氟化鎂薄膜層、氧化硅薄膜層、氧化鋁薄膜層和氮化鈦薄膜層中的一種或其中任意幾種的組合。

最優選地，所述的高折射率薄膜層為3-10層，所述的低折射率薄膜層為2-8層。

本實用新型提供的技術方案帶來的有益效果是：

A.通過在聚合物襯底上設置多層的高折射率薄膜層和低折射率薄膜層，當薄膜結構的反射率足夠高時，還有可能因為激光充分反射而降低結晶化所需的ELA激光能量，使襯底材料的選擇面更廣。同時，本實用新型所提供的薄膜結構還能起到阻擋由聚合物襯底方向滲透的水氧的作用，可以作為水氧阻隔層使用。

B.從圖3和圖4可知，采用合適層數和厚度的高折射率薄膜層和低折射率薄膜層，其對規格波長反射率可達到98%以上，對光的反射效果顯著。

附圖說明

為了更清楚地說明本實用新型實施例中的技術方案，下面將對實施例描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講，在不付出創造性勞動的前提下，還可以根據這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為現有技術所使用的鈍化膜沉積結構圖；

圖2為本實用新型所描述的薄膜結構示意圖；

圖3為實施例1所描述的薄膜結構所能實現的反射率曲線；

圖4為實施例2所描述的薄膜結構所能實現的反射率曲線。

圖中：

圖1中：101-聚合物襯底，102-鈍化膜，103-非晶硅，104-針孔，105-紫外激光；

圖2中：201-聚合物襯底，202-高折射率薄膜組，203-低折射率薄膜組。

具體實施方式

為使本實用新型的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合附圖對本實用新型實施方式作進一步地詳細描述。