[實用新型]一種基板和掩模板有效
| 申請號: | 201320627432.6 | 申請日: | 2013-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN203587963U | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發明(設計)人: | 王燦;高浩然;王路 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/42 | 分類號: | G03F1/42;G03F1/60 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 黃燦;程美瓊 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 模板 | ||
1.一種基板,其特征在于,包括:面板區和所述面板區外圍的非產品使用區;
所述面板區內設置有至少一個面板;
所述非產品使用區內設置有至少一個增強全局對位記號圖形單元;
所述增強全局對位記號圖形單元包括增強全局對位記號區圖形和所述增強全局對位記號區圖形外圍的虛擬區圖形。
2.根據權利要求1所述的基板,其特征在于,所述增強全局對位記號圖形單元的所述增強全局對位記號區圖形包括至少一個增強全局對位記號隊列。
3.根據權利要求2所述的基板,其特征在于,
所述增強全局對位記號隊列中的增強全局對位記號為方形或圓形。
4.根據權利要求2所述的基板,其特征在于,
當所述增強全局對位記號區圖形包括至少兩個增強全局對位記號隊列時,所述至少兩個增強全局對位記號隊列的第一增強全局對位記號隊列中增強全局對位記號的面積大于第二增強全局對位記號隊列的增強全局對位記號的面積。
5.根據權利要求1所述的基板,其特征在于,
所述虛擬區圖形與所述面板中的像素圖形相同。
6.根據權利要求1所述的基板,其特征在于,
所述虛擬區圖形包括多個中空的矩形或者多個中空的圓形。
7.一種掩模板,用于制備權利要求1至6任意一項所述的基板,其特征在于,包括:面板區圖形和所述面板區圖形外圍的非產品使用區圖形;
所述面板區圖形內設置有至少一個面板圖形;
所述非產品使用區圖形內設置有至少一個增強全局對位記號圖形單元;
所述增強全局對位記號圖形單元包括增強全局對位記號區圖形和所述增強全局對位記號區圖形外圍的虛擬區圖形。
8.根據權利要求7所述的掩模板,其特征在于,所述增強全局對位記號區圖形包括至少一個增強全局對位記號隊列。
9.根據權利要求8所述的掩模板,其特征在于,
所述增強全局對位記號隊列中的增強全局對位記號為方形或圓形。
10.根據權利要求8所述的掩模板,其特征在于,
當所述增強全局對位記號區圖形包括至少兩個增強全局對位記號隊列時,所述至少兩個增強全局對位記號隊列的第一增強全局對位記號隊列中增強全局對位記號的面積大于第二增強全局對位記號隊列中增強全局對位記號的面積。
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





