[實用新型]一種基板和掩模板有效
| 申請號: | 201320627432.6 | 申請日: | 2013-10-11 |
| 公開(公告)號: | CN203587963U | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發明(設計)人: | 王燦;高浩然;王路 | 申請(專利權)人: | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號: | G03F1/42 | 分類號: | G03F1/42;G03F1/60 |
| 代理公司: | 北京銀龍知識產權代理有限公司 11243 | 代理人: | 黃燦;程美瓊 |
| 地址: | 100015 *** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 模板 | ||
技術領域
本實用新型涉及曝光領域,特別是指一種基板和掩模板。
背景技術
目前,在曝光系統中基板和掩膜板實現對位的方式主要有以下兩種:
一是使用LSA(laser?step?alignment,激光步進對齊)的方式進行,該實現方式在進行掩膜板和基板對位時,采用分別間接對位的方式來進行。先進行掩膜板上記號標識的識別及掩膜板位置的處理,然后基板位置主要通過識別表面的凹凸點來控制,具有高靈敏度、高識別能力和處理速度快的優點。但是受基板表面形貌的影響比較大。
另外一種是FIA(Field?Image?Alignment場圖像對齊)方式。該方式主要是通過識別圖像的方式來實現,通過同時讀取掩膜板和基板上的記號標識,進行對位處理。該方式可以很好的識別粗糙的表面。
在這兩種曝光對位系統中,由于對位識別標記不一致,故若涉及到兩種工藝的融合,需要同時進行兩種標記的制備工作。
在一些生成工藝線中,LSA的對位方式需要制得增強全局對位記號(EGA?mark,Enhance?Global?Alignment?mark),以便于光學(photo)曝光機的記號標識識別。而在FIA方式中需要制得叉字記號,這兩種mark分別形成在陣列(array)的光學曝光機和彩色濾光片曝光機中。在使用拼接方式進行曝光的方式中單純進行記號制備及工藝控制很容易實現,但是,在接近式曝光方式中,由于曝光是一次形成,需要單獨控制某個記號的大小及位置時,則較難操作。
實用新型人發現,在彩色濾光片曝光機中進行黑矩陣工藝制作的同時,如果也想制得增強全局對位記號,實現難度較大,較難保留。
如果單純制得增強全局對位記號,還可以操作,但是如果考慮到像素內黑矩陣特征尺寸(BM?CD)的特征尺寸偏差(CD?bias),則增強全局對位記號不僅保留難度較大,而且即使能夠保留,各方面的尺寸也會出現不達標的現象。
實用新型內容
本實用新型要解決的技術問題是,提供一種基板和掩模板,能夠降低增強全局對位記號區圖形的制造難度。
一種基板,包括:面板區和所述面板區外圍的非產品使用區;
所述面板區內設置有至少一個面板;
所述非產品使用區內設置有至少一個增強全局對位記號圖形單元;
所述增強全局對位記號圖形單元包括增強全局對位記號區圖形和所述增強全局對位記號區圖形外圍的虛擬區圖形。
所述增強全局對位記號圖形單元的所述增強全局對位記號區圖形包括至少一個增強全局對位記號隊列。
所述增強全局對位記號隊列中的增強全局對位記號為方形或圓形。
當所述增強全局對位記號區圖形包括至少兩個增強全局對位記號隊列時,所述至少兩個增強全局對位記號隊列的第一增強全局對位記號隊列中增強全局對位記號的面積大于第二增強全局對位記號隊列的增強全局對位記號的面積。
所述虛擬區圖形與所述面板中的像素圖形相同。
所述虛擬區圖形包括多個中空的矩形或者多個中空的圓形。
一種掩模板,用于制備上述的基板,包括:面板區圖形和所述面板區圖形外圍的非產品使用區圖形;
所述面板區圖形內設置有至少一個面板圖形;
所述非產品使用區圖形內設置有至少一個增強全局對位記號圖形單元;
所述增強全局對位記號圖形單元包括增強全局對位記號區圖形和所述增強全局對位記號區圖形外圍的虛擬區圖形。
所述增強全局對位記號區圖形包括至少一個增強全局對位記號隊列。
所述增強全局對位記號隊列中的增強全局對位記號為方形或圓形。
當所述增強全局對位記號區圖形包括至少兩個增強全局對位記號隊列時,所述至少兩個增強全局對位記號隊列的第一增強全局對位記號隊列中增強全局對位記號的面積大于第二增強全局對位記號隊列中增強全局對位記號的面積。
所述虛擬區圖形與所述面板中的像素圖形相同。
本實用新型的上述技術方案的有益效果如下:
本實用新型增加了虛擬區圖形,由于有虛擬區圖形在增強全局對位記號區圖形外圍的保護,可保證增強全局對位記號區圖形的對位記號不易洗去,降低了對位記號的制造難度。
附圖說明
圖1為本實用新型所述的基板的示意圖;
圖2為本實用新型所述的基板中增強全局對位記號圖形單元的示意圖。
圖3為本實用新型所述的掩模板的示意圖;
圖4為本實用新型所述的掩模板中增強全局對位記號圖形單元的示意圖。
具體實施方式
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G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設備
G03F1-00 用于圖紋面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其專門適用于此的容器;其制備
G03F1-20 .用于通過帶電粒子束(CPB)輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如通過電子束;其制備
G03F1-22 .用于通過100nm或更短波長輻照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射線掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制備
G03F1-36 .具有臨近校正特征的掩膜;其制備,例如光學臨近校正(OPC)設計工藝
G03F1-38 .具有輔助特征的掩膜,例如用于校準或測試的特殊涂層或標記;其制備





