[實(shí)用新型]硅片的劃片盤有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320604182.4 | 申請(qǐng)日: | 2013-09-29 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203481198U | 公開(kāi)(公告)日: | 2014-03-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 高寶華 | 申請(qǐng)(專利權(quán))人: | 常州銀河電器有限公司 |
| 主分類號(hào): | H01L21/673 | 分類號(hào): | H01L21/673 |
| 代理公司: | 常州市天龍專利事務(wù)所有限公司 32105 | 代理人: | 夏海初 |
| 地址: | 213022 江蘇*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
| 權(quán)利要求書(shū): | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū): | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅片 劃片 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型具體涉及一種硅片的劃片盤。
背景技術(shù)
現(xiàn)有的硅片是利用劃片機(jī)實(shí)施劃片工藝,而劃片機(jī)的劃片盤只有2~3個(gè)工位,也就是說(shuō)一片劃片盤一次只能對(duì)2~3個(gè)硅片實(shí)施劃片處理,并未有效利用劃片機(jī)走刀的全部行程,因此,浪費(fèi)了劃片的有效工作時(shí)間,導(dǎo)致劃片效率低,生產(chǎn)成本較高。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是:提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,且能提高劃片效率的硅片的劃片盤,以克服現(xiàn)有技術(shù)的不足。
為了達(dá)到上述目的,本實(shí)用新型的技術(shù)方案:一種硅片的劃片盤,包括基板,而其:
所述基板有沿同一半徑圓周方向等間距分開(kāi)布置且沿徑向設(shè)置的第一流道、第二流道、第三流道、第四流道、第五流道和第六流道;
所述基板的一面有第一工位、第二工位、第三工位、第四工位、第五工位、第六工位和第七工位;
所述第一工位位于基板的中心,而第二工位、第三工位、第四工位、第五工位、第六工位和第七工位位于第一工位的外周且各自的中心分別與第一流道、第二流道、第三流道、第四流道、第五流道和第六流道相重合;
所述第一工位、第二工位、第三工位、第四工位、第五工位、第六工位和第七工位各自具有沿徑向呈直線布置的若干個(gè)沉孔,第一工位的若干個(gè)沉孔和第二工位的若干個(gè)沉孔分別與第一流道相連通,第三工位的若干個(gè)沉孔與第二流道相連通,第四工位的若干個(gè)沉孔與第三流道相連通,第五工位的若干個(gè)沉孔與第四流道相連通,第六工位的若干個(gè)沉孔與第五流道相連通,第七工位的若干個(gè)沉孔與第六流道相連通;
所述基板的另一面有與第一流道、第二流道、第三流道、第四流道、第五流道、第六流道以及第一工位中心沉孔分別相連通的軸向通孔。
在上述技術(shù)方案中,所述第一工位、第二工位、第三工位、第四工位、第五工位、第六工位和第七工位分別設(shè)有若干個(gè)沿徑向等間距分開(kāi)布置的圓環(huán)形凹槽,且所述的沉孔分別設(shè)在相應(yīng)的圓環(huán)形凹槽內(nèi)。
在上述技術(shù)方案中,所述基板的另一面還有若干個(gè)弧形定位凸臺(tái),且若干個(gè)弧形定位凸臺(tái)位于軸向通孔的外周且沿同一半徑的圓周方向均勻布置。
在上述技術(shù)方案中,所述基板呈圓形,或者是多邊形。
本實(shí)用新型所具有的積極效果是:由于采用上述劃片盤后,使用時(shí),每個(gè)劃片盤的七個(gè)工位分別裝有硅片,且劃片機(jī)的抽真空組件的真空管與劃片盤的軸向通孔相連通,確保硅片在劃片過(guò)程中不會(huì)發(fā)生移位現(xiàn)象,因此,本實(shí)用新型的劃片盤一次可對(duì)七個(gè)硅片同時(shí)實(shí)施劃片處理,充分利用了走刀的有效工作行程,使得生產(chǎn)效率高。實(shí)現(xiàn)了本實(shí)用新型的目的。
附圖說(shuō)明
圖1是本實(shí)用新型一種具體實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2是圖1的后視圖;
圖3是圖1的A-A剖視圖;
圖4是圖1的B-B旋轉(zhuǎn)后的剖視圖;
圖5是圖1的C-C旋轉(zhuǎn)后的剖視圖。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖以及給出的實(shí)施例,對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說(shuō)明,但并不局限于此。
如圖1、2、3、4、5所示,一種硅片的劃片盤,包括基板1,而其:
所述基板1有沿同一半徑圓周方向等間距分開(kāi)布置且沿徑向設(shè)置的第一流道1-1、第二流道1-2、第三流道1-3、第四流道1-4、第五流道1-5和第六流道1-6;
所述基板1的一面有第一工位2、第二工位3、第三工位4、第四工位5、第五工位6、第六工位7和第七工位8;
所述第一工位2位于基板1的中心,而第二工位3、第三工位4、第四工位5、第五工位6、第六工位7和第七工位8位于第一工位2的外周且各自的中心分別與第一流道1-1、第二流道1-2、第三流道1-3、第四流道1-4、第五流道1-5和第六流道1-6相重合;
所述第一工位2、第二工位3、第三工位4、第四工位5、第五工位6、第六工位7和第七工位8各自具有沿徑向呈直線布置的若干個(gè)沉孔2-1、3-1、4-1、5-1、6-1、7-1、8-1,第一工位2的若干個(gè)沉孔2-1和第二工位3的若干個(gè)沉孔3-1分別與第一流道1-1相連通,第三工位4的若干個(gè)沉孔4-1與第二流道1-2相連通,第四工位5的若干個(gè)沉孔5-1與第三流道1-3相連通,第五工位6的若干個(gè)沉孔6-1與第四流道1-4相連通,第六工位7的若干個(gè)沉孔7-1與第五流道1-5相連通,第七工位8的若干個(gè)沉孔8-1與第六流道1-6相連通;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





