[實用新型]一種陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201320603846.5
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN203480166U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 張金中;田宗民
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/13357
• 分類號: G02F1/13357;G02F1/1343
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

技術領域

本實用新型涉及液晶顯示技術領域，尤其涉及一種陣列基板和顯示裝置。

背景技術

薄膜晶體管液晶顯示器（Thin?Film?Transistor?Liquid?Crystal?Display，TFT-LCD）具有體積小、功耗低、無輻射等特點，近年來得到了迅速地發展，在當前的平板顯示器市場中占據了主導地位。

TFT-LCD由液晶顯示面板、驅動電路以及背光模組組成，液晶顯示面板是TFT-LCD的重要部分。液晶顯示面板是通過在陣列基板和彩膜基板之間注入液晶，四周用封框膠密封，然后在陣列基板和彩膜基板上分別貼敷偏振方向相互垂直的偏振片等過程形成的。參見圖1和圖2，圖1為現有技術中陣列基板的平面結構圖，圖2為沿圖1中A—A1方向的陣列基板的剖面結構示意圖；從圖1和圖2中可以看出，所述陣列基板包括多個呈矩陣排列的像素單元，所述像素單元包括透光區域和非透光區域，其中，虛線EE’與虛線CC’所界定區域為像素單元的透光區域，虛線CC’與虛線DD’所界定區域為像素單元的非透光區域。所述非透光區域包括在襯底基板100上交叉設置的掃描線101和數據線102，以及呈矩陣式排列的薄膜晶體管10，所述薄膜晶體管10包括：柵極103、柵絕緣層104、有源層105、源極106、和漏極107；所述透光區域包括像素電極108。

通常所述有源層105采用非晶硅（a-Si）材料形成，所述由非晶硅材料形成的薄膜晶體管具有技術成熟、成本低、工藝簡單、穩定性好等優點；但是，所述由非晶硅材料形成的薄膜晶體管特性很低，其中，最基本的代表薄膜晶體管特性的參數包括：載流子遷移率、閾值電壓和閾下振幅。隨著顯示技術的發展，出現了采用多晶硅（p-Si）材料形成的薄膜晶體管和采用金屬氧化物材料形成的薄膜晶體管；其中，采用多晶硅材料形成的薄膜晶體管具有TFT特性高、載流子遷移率高等優點，但所述采用多晶硅材料形成的薄膜晶體管特性不穩定、均一性差；所述采用氧化物材料形成的薄膜晶體管具有特性較高、均一性好等優點，但是生成成本高，制作工藝復雜。

隨著高開口率、高分辨率等發展趨勢的需要，目前已有多種技術可用于實現較高的分辨率，如低溫多晶硅薄膜晶體管技術，半導體氧化物薄膜晶體管技術，降低柵極線、源極線和漏極線寬度的細化技術，但是開口率的改善情況并不理想，其中，所述開口率是指除去每一像素的周邊電路區域和薄膜晶體管區域后的光線通過部分的面積與每一像素整體的面積之間的比例。隨著有機發光二極管技術（Organic?Light-Emitting?Diode，OLED）的發展，OLED被用于提高像素的開口率，但是OLED是電流驅動器件，需要較高的載流子遷移率，只有應用低溫多晶硅技術驅動OLED才能獲得較高的開口率，但是，由于低溫多晶硅中存在均一性差，工藝復雜，良品率低等問題，使得應用低溫多晶硅技術驅動OLED的方案仍無法很好的解決開口率低的問題。

實用新型內容

本實用新型實施例提供了一種陣列基板和顯示裝置，用以增大像素的開口率。

本實用新型實施例提供的陣列基板包括：多個呈矩陣排列的像素單元，所述像素單元包括透光區域和非透光區域，所述透光區域包括像素電極，所述非透光區域包括薄膜晶體管、掃描線和數據線，其中，所述像素電極位于所述薄膜晶體管所在層的上方，且所述像素電極部分或全部覆蓋所述非透光區域；所述像素單元還包括設置在所述薄膜晶體管所在層上方的、與像素電極絕緣設置的發光結構，所述發光結構的覆蓋區域與所述像素電極的覆蓋區域相對應，用于提供背光源。

所述陣列基板中，包括位于所述薄膜晶體管所在層的上方的像素電極，以及設置在所述薄膜晶體管所在層上方的發光結構；其中，所述像素電極的覆蓋區域包括薄膜晶體管的上方區域，所述發光結構用于提供背光源。由于所述像素電極的覆蓋區域包括薄膜晶體管的上方區域，因此像素電極的覆蓋區域較現有技術中像素電極的覆蓋區域增大，同時，由于發光結構充當背光源，因此，使得位于薄膜晶體管上方的像素電極所對應的區域內有光線通過，可以進行圖像顯示，提高了像素的開口率。

較佳的，所述發光結構與公共電極線連接，用于充當陣列基板的公共電極，進一步簡化了制作工藝，節約了生產成本。此外，所述陣列基板中還可以增設一公共電極，和像素電極共同產生電場以驅動液晶層分子發生偏轉。