[實用新型]一種陣列基板和顯示裝置

有效

• 申請號: 201320603846.5
• 申請日: 2013-09-25
• 公開（公告）號: CN203480166U
• 公開（公告）日: 2014-03-12
• 發明（設計）人: 張金中;田宗民
• 申請（專利權）人: 北京京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/13357
• 分類號: G02F1/13357;G02F1/1343
• 代理公司: 北京同達信恒知識產權代理有限公司 11291
• 代理人: 黃志華

1.一種陣列基板，所述陣列基板包括多個呈矩陣排列的像素單元，所述像素單元包括透光區域和非透光區域，所述透光區域包括像素電極，所述非透光區域包括薄膜晶體管、掃描線和數據線，其特征在于，

所述像素電極位于所述薄膜晶體管所在層的上方，且所述像素電極部分或全部覆蓋所述非透光區域；

所述像素單元還包括設置在所述薄膜晶體管所在層上方的、與像素電極絕緣設置的發光結構，所述發光結構的覆蓋區域與所述像素電極的覆蓋區域相對應，用于提供背光源。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述發光結構與公共電極線連接，用于充當陣列基板的公共電極。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述發光結構包括：設置在像素電極上方的陰極，設置在陰極上方的發光材料層，以及設置在所述發光材料層上方的陽極，其中，所述陽極連接公共電極線；

或者，所述發光結構包括：設置在像素電極上方的陽極，設置在陽極上方的發光材料層，以及設置在所述發光材料層上方的陰極，其中，所述陽極連接公共電極線。

4.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述發光結構位于所述像素電極的上方，所述發光結構為狹縫狀，所述像素電極為板狀或狹縫狀；

或者，所述發光結構位于所述像素電極的下方，所述發光結構為狹縫狀或板狀，所述像素電極為狹縫狀。

5.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵絕緣層的厚度為6000～8000埃。

6.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設置在所述薄膜晶體管所在層與像素電極之間的鈍化層。

7.如權利要求1～6任一權項所述的陣列基板，其特征在于，所述陣列基板還包括設置在像素電極與發光結構之間的第二鈍化層。

8.一種顯示裝置，其特征在于，所述顯示裝置包括權利要求1～7任一權項所述的陣列基板。