[實(shí)用新型]一種半導(dǎo)體晶片兼容測(cè)試載臺(tái)

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320603338.7
• 申請(qǐng)日: 2013-09-22
• 公開（公告）號(hào): CN203466168U
• 公開（公告）日: 2014-03-05
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 呂立平;馮淦;趙建輝
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 瀚天天成電子科技（廈門）有限公司
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66
• 代理公司: 北京聯(lián)瑞聯(lián)豐知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11411
• 代理人: 黃冠華

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種載臺(tái)，特別是一種半導(dǎo)體晶片兼容測(cè)試載臺(tái)。

背景技術(shù)

半導(dǎo)體晶片通常情況下尺寸規(guī)格有3英寸、4英寸和6英寸等，目前，當(dāng)同一機(jī)臺(tái)對(duì)不同尺寸的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候，需要根據(jù)半導(dǎo)體晶片的尺寸更換相應(yīng)的載臺(tái)，更換一次載臺(tái)一般需要5～10分鐘，費(fèi)時(shí)費(fèi)力；尤其是在同時(shí)生產(chǎn)不同尺寸的半導(dǎo)體晶片需要測(cè)試時(shí)，更換載臺(tái)的次數(shù)更加頻繁，嚴(yán)重影響生產(chǎn)效率。

原來的測(cè)試載臺(tái)為了防止半導(dǎo)體晶片滑落，采用了三個(gè)螺栓定位的設(shè)計(jì)，使用時(shí)將碳化硅晶片放入載臺(tái)內(nèi)，旋轉(zhuǎn)三個(gè)螺栓將半導(dǎo)體晶片夾緊，這樣的設(shè)計(jì)容易導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片邊緣的沾污，影響產(chǎn)品的良品率；針對(duì)此不足，設(shè)計(jì)了一種帶有真空吸盤的載臺(tái)，但是此載臺(tái)需要加裝真空相關(guān)配套設(shè)施，成本較高。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型提出一種半導(dǎo)體晶片兼容測(cè)試載臺(tái)，解決了目前同一機(jī)臺(tái)對(duì)不同尺寸的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行測(cè)試的時(shí)候，需要根據(jù)半導(dǎo)體晶片的尺寸更換相應(yīng)的載臺(tái)，費(fèi)時(shí)費(fèi)力，影響生產(chǎn)效率，且固定半導(dǎo)體晶片時(shí)易導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片邊緣沾污等問題。

本實(shí)用新型的技術(shù)方案是這樣實(shí)現(xiàn)的：

一種半導(dǎo)體晶片兼容測(cè)試載臺(tái)，所述載臺(tái)呈圓形，且圓心處開設(shè)有一軸孔；

所述載臺(tái)的背面為平面，正面由以所述軸孔為圓心的環(huán)形臺(tái)階組成；所述環(huán)形臺(tái)階包括多級(jí)階梯，所述階梯包括環(huán)形平面和環(huán)形豎面；

所述階梯的數(shù)量沿所述軸孔的圓周向所述載臺(tái)的圓周遞增。

進(jìn)一步的，所述載臺(tái)正面沿半徑方向開設(shè)有一通槽。

進(jìn)一步的，所述通槽的寬度與所述軸孔的直徑長(zhǎng)度一致。

進(jìn)一步的，所述環(huán)形臺(tái)階包括四級(jí)階梯。

由上述對(duì)本實(shí)用新型的描述可知，和現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)用新型具有如下優(yōu)點(diǎn)：

一、本實(shí)用新型在對(duì)不同尺寸的半導(dǎo)體晶片進(jìn)行測(cè)試時(shí)，不需要更換相應(yīng)尺寸的載臺(tái)，只需直接將半導(dǎo)體晶片放置在相應(yīng)的環(huán)形臺(tái)階形成的通槽內(nèi)即可，節(jié)約了原來更換載臺(tái)的時(shí)間，提高設(shè)備的工作效率。

二、原來的載臺(tái)為了防止半導(dǎo)體晶片滑落，采用了三個(gè)螺栓定位的設(shè)計(jì)，這個(gè)設(shè)計(jì)的缺點(diǎn)就是容易導(dǎo)致半導(dǎo)體晶片邊緣的沾污；本實(shí)用新型采用環(huán)形臺(tái)階設(shè)計(jì)，既可以保證半導(dǎo)體晶片在載臺(tái)運(yùn)動(dòng)時(shí)不會(huì)滑落，又避免了半導(dǎo)體晶片邊緣的沾污，改善了半導(dǎo)體晶片的質(zhì)量，提高了產(chǎn)品的良品率。

三、本實(shí)用新型通常采用鋁或鋁合金等輕質(zhì)、硬質(zhì)的材料制作即可，造型簡(jiǎn)單加工方便，成本低廉。

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡(jiǎn)單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。

圖1為本實(shí)用新型正面結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2為本實(shí)用新型剖面結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面將結(jié)合本實(shí)用新型實(shí)施例中的附圖，對(duì)本實(shí)用新型實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。

參照?qǐng)D1和圖2，一種半導(dǎo)體晶片兼容測(cè)試載臺(tái)，所述載臺(tái)1呈圓形，且圓心處開設(shè)有一軸孔2，所述軸孔2方便測(cè)試中載臺(tái)1的取用；所述載臺(tái)1的背面為平面，正面由以所述軸孔為圓心的環(huán)形臺(tái)階3組成；所述環(huán)形臺(tái)階3包括多級(jí)階梯，所述階梯包括環(huán)形平面30和環(huán)形豎面31；所述階梯的數(shù)量沿所述軸孔2的圓周向所述載臺(tái)1的圓周遞增。

所述載臺(tái)正面沿半徑方向開設(shè)有一通槽4，所述通槽4的寬度與所述軸孔的直徑長(zhǎng)度一致。測(cè)試前先將半導(dǎo)體晶片從背面用吸筆吸起，將半導(dǎo)體晶片正面向上放置于載臺(tái)1上，此時(shí)吸筆停留在通槽4內(nèi)，沿通槽4方向抽出吸筆；測(cè)試后，沿通槽4將吸筆伸入半導(dǎo)體晶片底部將其吸起；由此即完成了半導(dǎo)體晶片的取放。

本實(shí)施例中，所述環(huán)形臺(tái)階3包括四級(jí)階梯，四級(jí)階梯共包括四個(gè)環(huán)形階面30和四個(gè)環(huán)形豎面31，所述載臺(tái)從內(nèi)向外的三個(gè)環(huán)形階面的直徑分別與直徑為3英寸、4英寸和6英寸的半導(dǎo)體芯片相適配；測(cè)試過程中不再需要更換載臺(tái)，只需將被測(cè)半導(dǎo)體晶片放置在相應(yīng)的環(huán)形階面上即可。當(dāng)然，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要，選擇將環(huán)形階面數(shù)量設(shè)置成四個(gè)，四個(gè)環(huán)形階面的直徑從內(nèi)向外分別與所需四個(gè)半導(dǎo)體芯片的直徑相適配即可；同理，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)實(shí)際需要將環(huán)形階面的數(shù)量設(shè)置成五個(gè)、六個(gè)或更多；只需達(dá)到同一個(gè)測(cè)試載臺(tái)能夠測(cè)試多個(gè)不同尺寸的半導(dǎo)體芯片即可。

以上所述僅為本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本實(shí)用新型，凡在本實(shí)用新型的精神和原則之內(nèi)，所作的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。