[實用新型]抗蝕劑層的薄膜化裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320593542.5 | 申請日: | 2013-09-25 |
| 公開(公告)號: | CN203587965U | 公開(公告)日: | 2014-05-07 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 豐田裕二;后閑寬彥;川合宣行;中川邦弘 | 申請(專利權(quán))人: | 三菱制紙株式會社 |
| 主分類號: | G03F7/30 | 分類號: | G03F7/30 |
| 代理公司: | 中國專利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 崔幼平;譚祐祥 |
| 地址: | 日本*** | 國省代碼: | 日本;JP |
| 權(quán)利要求書: | 查看更多 | 說明書: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 抗蝕劑層 薄膜 化裝 | ||
1.一種抗蝕劑層的薄膜化裝置,
具備通過薄膜化處理液使抗蝕劑層中的成分膠束化的薄膜化處理單元,和通過膠束除去液將膠束除去的膠束除去處理單元,
具有運送在表面上形成有抗蝕劑層的基板的運送輥,
薄膜化處理單元具有裝入薄膜化處理液的浸漬槽,
膠束除去處理單元具有用來供給膠束除去液的膠束除去液供給噴霧,
其特征在于,
設(shè)置有從膠束除去液倒流抑制機構(gòu)及薄膜化處理液帶出抑制機構(gòu)選擇的至少一種機構(gòu)。
2.如權(quán)利要求1所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置,其特征在于,
膠束除去液倒流抑制機構(gòu)是設(shè)置在薄膜化處理單元和膠束除去處理單元的邊界部的運送輥對上的膠束除去液截斷罩。
3.如權(quán)利要求2所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置,其特征在于,
在設(shè)置在薄膜化處理單元和膠束除去處理單元的邊界部的運送輥對的下側(cè)輥上的膠束除去液截斷罩上設(shè)有開口。
4.如權(quán)利要求1所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置,其特征在于,
膠束除去液倒流抑制機構(gòu)是設(shè)置在膠束除去處理單元的入口輥對上的膠束除去液截斷罩。
5.如權(quán)利要求1所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置,其特征在于,
薄膜化處理液帶出抑制機構(gòu)是設(shè)置在浸漬槽的出口輥對與膠束除去處理單元的入口輥對之間的斷液輥對。
6.如權(quán)利要求1所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置,其特征在于,
膠束除去液倒流抑制機構(gòu)是設(shè)置在該浸漬槽的出口輥對與膠束除去處理單元的入口輥對之間的防液壁。
7.如權(quán)利要求6所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置,其特征在于,
在浸漬槽的出口輥對與膠束除去處理單元的入口輥對之間設(shè)置有斷液輥對。
8.如權(quán)利要求7所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置,其特征在于,
在膠束除去處理單元的入口輥對上設(shè)置有膠束除去液截斷罩。
9.如權(quán)利要求4或8所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置,其特征在于,
在設(shè)置在膠束除去處理單元的入口輥對的下側(cè)輥上的膠束除去液截斷罩上設(shè)有開口。
10..如權(quán)利要求5、7、8的任一項所述的抗蝕劑層的薄膜化裝置,其特征在于,
浸漬槽的出口輥對、斷液輥對、膠束除去處理單元的入口輥對的各自的間隔L相對于各輥的直徑D為超過1倍且在3倍以下、即D<L≦3D。
該專利技術(shù)資料僅供研究查看技術(shù)是否侵權(quán)等信息,商用須獲得專利權(quán)人授權(quán)。該專利全部權(quán)利屬于三菱制紙株式會社,未經(jīng)三菱制紙株式會社許可,擅自商用是侵權(quán)行為。如果您想購買此專利、獲得商業(yè)授權(quán)和技術(shù)合作,請聯(lián)系【客服】
本文鏈接:http://www.szxzyx.cn/pat/books/201320593542.5/1.html,轉(zhuǎn)載請聲明來源鉆瓜專利網(wǎng)。
- 同類專利
- 專利分類
G03F 圖紋面的照相制版工藝,例如,印刷工藝、半導(dǎo)體器件的加工工藝;其所用材料;其所用原版;其所用專用設(shè)備
G03F7-00 圖紋面,例如,印刷表面的照相制版如光刻工藝;圖紋面照相制版用的材料,如:含光致抗蝕劑的材料;圖紋面照相制版的專用設(shè)備
G03F7-004 .感光材料
G03F7-12 .網(wǎng)屏印刷模或類似印刷模的制作,例如,鏤花模版的制作
G03F7-14 .珂羅版印刷模的制作
G03F7-16 .涂層處理及其設(shè)備
G03F7-20 .曝光及其設(shè)備





