[實用新型]一種硅晶片差異化研磨裝置

有效

• 申請號: 201320579656.4
• 申請日: 2013-09-18
• 公開（公告）號: CN203509895U
• 公開（公告）日: 2014-04-02
• 發明（設計）人: 周濤;裴保齊;邵斌;李斌
• 申請（專利權）人: 洛陽鴻泰半導體有限公司
• 主分類號: B24B37/08
• 分類號: B24B37/08
• 代理公司: 洛陽市凱旋專利事務所 41112
• 代理人: 陸君

【技術領域】

本實用新型涉及一種硅晶片研磨裝置，尤其是涉及一種硅晶片差異化研磨裝置。

【背景技術】

公知的，目前半導體硅片研磨加工工藝設備對硅片厚度、平整度等幾何參數起決定作用，其基本原理就是硅晶片通過行星游輪片的帶動在上下磨盤間繞磨盤中心軸做自轉和公轉運動，高硬度的研磨粉和助磨劑相配在磨盤可控的壓力下對硅晶片雙面進行磨削，去除掉前道工序造成的損傷，形成高精度的幾何表面和均一深度的損傷層；但是目前的研磨裝置的內齒圈和上磨盤、下磨盤都通過一個主電機驅動，由齒輪傳動實現不同的轉速，中心齒圈由單獨的電機控制，這樣上磨盤、下磨盤和內齒圈的轉速比和旋轉的方向是固定的，由于內齒圈決定行星游輪片的公轉速度，且內齒圈與上磨盤、下磨盤有固定轉速比，這樣硅晶片在研磨過程中與上磨盤、下磨盤的相對轉速和轉向都是固定的，因此對硅晶片上下面的去除速率也是固定的，但在實際生產中經常會遇到單面有缺陷、去除單面擴散層等，需要對硅晶片表面進行差異化研磨，這樣現有的研磨裝置就無法實現。

【發明內容】

為了克服背景技術中的不足，本實用新型公開了一種硅晶片差異化研磨裝置，本實用新型通過在內齒圈上安裝內齒圈電機，使得內齒圈的轉速和轉向可以調整，以此來實現對硅晶片雙面任意比例的差異化研磨的目的。

為了實現所述發明目的，本實用新型采用如下技術方案：

一種硅晶片差異化研磨裝置，包括傳動系統和研磨系統，傳動系統由中心齒圈電機、內齒圈電機和共有電機構成，研磨系統由中心齒圈、內齒圈、上磨盤、下磨盤和行星游輪片構成，內齒圈內設有上磨盤和下磨盤，內齒圈、上磨盤和下磨盤為同心結構，上磨盤和下磨盤的中心設有上磨盤驅動軸，上磨盤驅動軸上套有中心齒圈，在下磨盤上面設有若干個行星游輪片，下磨盤的下方設有中心齒圈電機、內齒圈電機和共有電機，共有電機通過齒輪帶動上磨盤驅動軸，中心齒圈電機通過齒輪帶動中心齒圈，內齒圈電機通過齒輪帶動內齒圈。

所述內齒圈電機為交流變頻電機，交流變頻電機通過改變旋轉速度和旋轉方向再由齒輪帶動內齒圈的轉動方向和轉動速度，內齒圈帶動行星游輪片進行正向或反向公轉，在中心齒圈、上磨盤和下磨盤去除速率不變的情況下自由的分配了行星游輪片的轉動速率。

所述行星游輪片的轉動速率實現了硅晶片雙面任意比例的差異化研磨。

由于采用了上述技術方案，本實用新型具有如下有益效果：

本實用新型所述的一種硅晶片差異化研磨裝置，包括傳動系統和研磨系統，通過在內齒圈上安裝內齒圈電機，使得內齒圈的轉速和轉向可以調整，以此來實現對硅晶片雙面任意比例的差異化研磨的目的；本實用新型實用性強，安裝和維護均比較方便，操作起來比較方便，有效解決了現有硅晶片研磨裝置上內齒圈、中心齒圈、上磨盤和下磨盤轉速比固定，無法對硅晶片進行雙面差異化研磨的問題，從而實現了對硅晶片表面進行差異化研磨的問題，極大滿足了客戶的需求。

【附圖說明】

圖1是本實用新型的立體結構示意圖；

圖2是本實用新型的傳動系統示意圖；

圖中：1、上磨盤驅動軸；2、硅晶片槽；3、下磨盤；4、內齒圈；5、中心齒圈；6、行星游輪片；7、上磨盤；8、中心齒圈電機；9內齒圈電機；10、共有電機。

【具體實施方式】

通過下面的實施例可以詳細的解釋本實用新型，公開本實用新型的目的旨在保護本實用新型范圍內的一切技術改進。

結合附圖1~2所述的一種硅晶片差異化研磨裝置，包括傳動系統和研磨系統，傳動系統由中心齒圈電機8、內齒圈電機9和共有電機10構成，研磨系統由中心齒圈5、內齒圈4、上磨盤7、下磨盤3和行星游輪片6構成，內齒圈4內設有上磨盤7和下磨盤3，內齒圈4、上磨盤7和下磨盤3為同心結構，上磨盤7和下磨盤3的中心設有上磨盤驅動軸1，上磨盤驅動軸1上套有中心齒圈5，在下磨盤3上面設有若干個行星游輪片6，下磨盤3的下方設有中心齒圈電機8、內齒圈電機9和共有電機10，共有電機10通過齒輪帶動上磨盤驅動軸1，中心齒圈電機8通過齒輪帶動中心齒圈5，內齒圈電機9通過齒輪帶動內齒圈4；所述內齒圈電機9為交流變頻電機，交流變頻電機通過改變旋轉速度和旋轉方向再由齒輪帶動內齒圈4的轉動方向和轉動速度，內齒圈4帶動行星游輪片6進行正向或反向公轉，在中心齒圈5、上磨盤7和下磨盤3去除速率不變的情況下自由的分配了行星游輪片6的轉動速率；所述行星游輪片6的轉動速率實現了硅晶片雙面任意比例的差異化研磨。