[實用新型]一種真空吸筆頭有效
| 申請號： | 201320576419.2 | 申請日： | 2013-09-17 |
| 公開（公告）號： | CN203617262U | 公開（公告）日： | 2014-05-28 |
| 發明（設計）人： | 李改麗;劉德均;譚宗尚;李軍 | 申請（專利權）人： | 常州君華特種工程塑料制品有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/683 | 分類號： | H01L21/683;H01L31/18 |
| 代理公司： | 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231 | 代理人： | 金輝 |
| 地址： | 213164 江蘇省常州市*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 真空 筆頭 | ||
【權利要求書】：
1.一種真空吸筆頭，包括吸筆頭主體（1），真空吸點（2），其特征在于：還具有凹陷于吸筆頭主體（1）表面的真空吸腔（3），所述真空吸點（2）位于真空吸腔（3）的端部。
2.根據權利要求1所述的真空吸筆頭，其特征在于：所述真空吸腔（3）的形狀為方形。
3.根據權利要求1所述的真空吸筆頭，其特征在于：所述真空吸點（2）為圓孔。
4.根據權利要求1或2或3所述的真空吸筆頭，其特征在于：在所述真空吸腔（3）中、真空吸點（2）的相對面端部還具有第二真空吸點（4）。
5.根據權利要求4所述的真空吸筆頭，其特征在于：所述第二真空吸點（4）為圓孔。
6.根據權利要求4所述的真空吸筆頭，其特征在于：所述吸筆頭主體（1）外具有導向面（5），其為具有坡度的斜面。
7.根據權利要求6所述的真空吸筆頭，其特征在于：所述導向面（5）為相對水平面具有3～8°坡度的斜面。
8.根據權利要求1或2或3或5或6或7所述的真空吸筆頭，其特征在于：所述真空吸筆頭材料為聚醚醚酮、熱固性聚酰亞胺或聚酰胺酰亞胺。
9.根據權利要求4所述的真空吸筆頭，其特征在于：所述真空吸筆頭材料聚醚醚酮、聚酰胺酰亞胺或熱固性聚酰亞胺。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
