[實用新型]一種真空吸筆頭有效
| 申請號: | 201320576419.2 | 申請日: | 2013-09-17 |
| 公開(公告)號: | CN203617262U | 公開(公告)日: | 2014-05-28 |
| 發明(設計)人: | 李改麗;劉德均;譚宗尚;李軍 | 申請(專利權)人: | 常州君華特種工程塑料制品有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683;H01L31/18 |
| 代理公司: | 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 金輝 |
| 地址: | 213164 江蘇省常州市*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 真空 筆頭 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種真空吸筆頭,特別涉及一種吸力均勻、帶有導向結構的真空吸筆頭。
背景技術
真空吸筆是一種外形類似鋼筆的小型氣動工具。它由塑料或者橡膠殼體、真空發生器(氣動型)、真空吸盤、彎頭和卷管(氣動型)組成,能靈活地運用于小零件的裝配。真空吸筆可分為氣動吸筆和手動吸筆兩大類。氣動吸筆的氣源要求是4-6公斤的壓縮空氣,手動吸筆的動力是橡膠皮囊。兩者相比較氣動吸筆動力十足但活動范圍有限,手動吸筆活動方便但動力不如氣動吸筆。真空吸筆頭是真空吸筆與被吸物,例如太陽能硅片接觸的,裝在筆桿上的真空吸筆的前端部分。目前的真空吸筆頭,具有一個真空吸點且沒有導向結構,一方面由于接觸硅片等被吸物為一個面,這樣會造成吸力不均勻,同時由于操作人員的熟練程度不同,或操作時角度失誤,容易發生硅片的掉落或傾斜,進而碰擦相鄰的硅片等,造成損失;另一方面不具有導向面結構,工作效率低。
實用新型內容
本實用新型的目的是解決上述不足,提供一種具有多個吸點、真空吸力更均勻、高效的真空吸筆頭。
實現本實用新型目的的技術方案是:一種真空吸筆頭,包括吸筆頭主體,真空吸點,其還具有凹陷于吸筆頭主體表面的真空吸腔,所述真空吸點位于真空吸腔的端部。
上述的真空吸筆頭,所述真空吸腔的形狀為方形。
上述的真空吸筆頭,所述真空吸點優選為圓孔。
上述的真空吸筆頭,在所述真空吸腔中、真空吸點的相對面端部還具有第二真空吸點,優選為圓孔。
上述的真空吸筆頭,所述吸筆頭主體外,延伸出一導向面,其為具有坡度的斜面。
上述的真空吸筆頭,所述導向面為相對水平面具有3~8°坡度的斜面,優選5~6°。
上述的真空吸筆頭,所述真空吸筆頭材料為聚醚醚酮、聚酰胺酰亞胺或熱固性聚酰亞胺。
本實用新型具有積極的效果:(1)具有相對設置的兩個真空吸點,真空吸力均勻,有效減少實際操作中硅片掉落或傾斜的問題;(2)本實用新型真空吸筆頭的導向面為斜面,使用中更易于插入,更加實用,有效提高工作效率,降低了破損率;(3)聚醚醚酮和聚酰胺酰亞胺材料的真空吸筆頭能在溫度高達250℃的環境下長期使用,而采用熱固性聚酰亞胺材料的能夠長期在高達380℃的高溫下工作。
附圖說明
為了使本實用新型的內容更容易被清楚地理解,下面根據具體實施例并結合附圖,對本實用新型作進一步詳細的說明,其中
圖1為本實用新型實施例1的結構示意圖,圖2為本實用新型實施例2的結構示意圖;圖3為圖2的主視圖。
其中:1吸筆頭主體,2真空吸點,3真空吸腔,4第二真空吸點,5導向面。
具體實施方式
(實施例1)
見圖1
一種真空吸筆頭,包括吸筆頭主體1,真空吸點2,還具有凹陷于吸筆頭主體1表面的真空吸腔3,其形狀為正方形。所述真空吸點2位于真空吸腔3的端部,為圓孔。真空吸筆頭材料為熱固性聚酰亞胺。
(實施例2)
見圖2和圖3
一種真空吸筆頭,包括吸筆頭主體1,真空吸點2,還具有凹陷于吸筆頭主體1表面的真空吸腔3,其形狀為正方形。所述真空吸點2位于真空吸腔3的端部,為圓孔。在所述真空吸腔3中、真空吸點2的相對面端部還具有第二真空吸點4為圓孔,吸筆頭主體1外具有凸出于吸筆頭外的導向面5,該導向面5為相對水平面成8°夾角的斜面。真空吸筆頭材料為聚醚醚酮。
(實施例3)
見圖2圖3
一種真空吸筆頭,包括吸筆頭主體1,真空吸點2,還具有凹陷于吸筆頭主體1表面的真空吸腔3,其形狀為正方形。所述真空吸點2位于真空吸腔3的端部,為圓孔。在所述真空吸腔3中、真空吸點2的相對面端部還具有第二真空吸點4為圓孔,吸筆頭主體1外具有凸出于吸筆頭外的導向面5,該導向面5為相對水平面成6°夾角的斜面。真空吸筆頭材料為聚酰胺酰亞胺。
以上所述的具體實施例,對本實用新型的目的、技術方案和有益效果進行了進一步詳細說明,所應理解的是,以上所述僅為本實用新型的具體實施例而已,并不用于限制本實用新型,凡在本實用新型的精神和原則之內,所做的任何修改、等同替換、改進等,均應包含在本實用新型的保護范圍之內。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





