[實用新型]工藝終點檢測裝置有效
| 申請號: | 201320571342.X | 申請日: | 2013-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN203456423U | 公開(公告)日: | 2014-02-26 |
| 發明(設計)人: | 儲佳 | 申請(專利權)人: | 上海集成電路研發中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;林彥之 |
| 地址: | 201210 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 工藝 終點 檢測 裝置 | ||
1.一種工藝終點檢測裝置,與化學機械拋光機臺配合使用,其包括:一光發射模塊以及一光檢測模塊,其特征在于,所述化學機械拋光機臺的拋光平臺設有一上下貫通的窗口,待檢晶圓置于所述拋光平臺上并遮蔽所述窗口,所述終點檢測裝置位于所述拋光平臺下方并與其分離設置,所述光發射模塊發出光束自所述窗口投射至所述待檢晶圓表面,所述光檢測模塊經由所述窗口接收所述待檢晶圓表面薄膜的反射光束,并計算所述表面薄膜厚度以確定化學機械拋光工藝的終點。
2.如權利要求1所述的終點檢測裝置,其特征在于,所述拋光平臺下方固接有一托盤,所述光發射模塊與光檢測模塊可拆卸地設置于所述托盤上表面。
3.如權利要求2所述的終點檢測裝置,其特征在于,所述光發射模塊與光檢測模塊分別通過螺栓與所述托盤連接。
4.如權利要求1所述的終點檢測裝置,其特征在于,所述光發射模塊包括一陣列式光源,所述光檢測模塊為陣列式分布。
5.如權利要求1所述的終點檢測裝置,其特征在于,所述光檢測模塊包括一光敏電阻、一信號放大器與一記錄儀,所述表面薄膜的反射光束由所述光敏電阻接收,所述光敏電阻將接收到的光信號轉換為電信號,所述信號放大器將所述電信號放大,并由所述記錄儀記錄。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





