[實用新型]工藝終點檢測裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320571342.X | 申請日: | 2013-09-13 |
| 公開(公告)號: | CN203456423U | 公開(公告)日: | 2014-02-26 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 儲佳 | 申請(專利權(quán))人: | 上海集成電路研發(fā)中心有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/66 | 分類號: | H01L21/66 |
| 代理公司: | 上海天辰知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 吳世華;林彥之 |
| 地址: | 201210 上*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 工藝 終點 檢測 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及半導體制造技術(shù)領(lǐng)域,更具體地說,涉及一種工藝終點檢測裝置。
背景技術(shù)
集成電路制造所需的化學機械拋光(chemical?mechanical?polishing,簡稱CMP)設(shè)備中,通常需要配備終點監(jiān)測系統(tǒng)(End?Point?Detector,簡稱EPD),以增加工藝窗口,更有效地控制工藝。目前CMP系統(tǒng)中EPD裝置工作原理主要有光學、渦流、驅(qū)動馬達電流、溫度、生成物等方式;其中最常用、也是最有效的是光學檢測方式,其通過檢測晶圓表面反射光的變化來跟蹤工藝進程,判斷工藝終點。
例如,要檢測CMP工藝的終點,需要實時得到晶圓上被拋光薄膜的厚度,利用薄膜表面反射回來的干涉光,可以計算得到薄膜的厚度,從而確定拋光進度;當薄膜厚度達到期望值時,停止拋光、CMP工藝結(jié)束。
現(xiàn)有技術(shù)采用的一種終點檢測裝置如圖1所示,該EPD裝置包括一光發(fā)射模塊301、一光檢測模塊302,整個EPD裝置嵌入安裝在拋光平臺10一凹形口101底部,待確定工藝終點的待檢晶圓20放置于拋光平臺10上表面、并遮蔽住凹形口101,拋光平臺10可繞一垂直樞軸自旋轉(zhuǎn),晶圓20也可繞自身中心軸旋轉(zhuǎn),兩者旋轉(zhuǎn)方向可不同。該EPD裝置用以在CMP工藝過程中檢測待檢晶圓表面薄膜的厚度,確定CMP工藝的終點。如需更換或維護EPD裝置,必須先將拋光平臺10拆下、翻轉(zhuǎn),然后進行更換、維護操作。而拋光平臺10是用鑄鐵經(jīng)過高精度加工制成的,重量重且安裝精度要求高,使得EPD裝置的維護、更換很不方便。
因此,使EPD裝置可拆卸從而方便維護,是本實用新型需要解決的技術(shù)問題。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種獨立于拋光平臺、可進行拆卸的工藝終點檢測裝置。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型的技術(shù)方案如下:
一種工藝終點檢測裝置,與化學機械拋光機臺配合使用,其包括:一光發(fā)射模塊以及一光檢測模塊,其特征在于,化學機械拋光機臺的拋光平臺設(shè)有一上下貫通的窗口,待檢晶圓置于拋光平臺上并遮蔽窗口,終點檢測裝置位于拋光平臺下方并與其分離設(shè)置,光發(fā)射模塊發(fā)出光束自窗口投射至待檢晶圓表面,光檢測模塊經(jīng)由窗口接收待檢晶圓表面薄膜的反射光束,并計算表面薄膜厚度以確定化學機械拋光工藝的終點。
優(yōu)選地,拋光平臺下方固接有一托盤,光發(fā)射模塊與光檢測模塊可拆卸地設(shè)置于托盤上表面。
本實用新型提供的終點檢測裝置設(shè)于化學機械拋光機臺的拋光平臺下方,與其上下分離設(shè)置,從而便于拆卸、更換或維護。其結(jié)構(gòu)簡單、實施便利。
附圖說明
圖1示出現(xiàn)有技術(shù)中一終點檢測裝置結(jié)構(gòu)示意圖;
圖2示出本實用新型一實施例提供的工藝終點檢測裝置結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
下面結(jié)合附圖,對本實用新型的具體實施方式作進一步的詳細說明。
如圖2所示,本實用新型一實施例提供的工藝終點檢測裝置,與CMP機臺配合使用,用以在CMP工藝過程中檢測晶圓表面薄膜的厚度,確定CMP工藝的終點。該終點檢測裝置位于化學機械拋光機臺的拋光平臺10下方一定距離處,兩者不成一體地設(shè)置,該終點檢測裝置具體包括一光發(fā)射模塊301、一光檢測模塊302。其中,拋光平臺10可繞一垂直樞軸自旋轉(zhuǎn),在拋光平臺10上設(shè)有一上下貫通的窗口101,待確定CMP工藝終點的晶圓20放置于拋光平臺10上表面、并遮蔽住窗口101;晶圓20也可繞自身中心軸旋轉(zhuǎn),其自旋轉(zhuǎn)方向與拋光平臺10的自旋轉(zhuǎn)方向相反。
具體地,拋光平臺10下方固接有一托盤102,托盤102可焊接于拋光平臺10底面,托盤102的側(cè)部設(shè)有至少一個開口,該開口可設(shè)置得足夠大,以便提供足夠的操作空間,將光發(fā)射模塊301與光檢測模塊302分別固定于該托盤102上表面。固定的方式包括但不限于,螺栓固定、卡口式固定、插槽式固定,類似的便于對光發(fā)射模塊301、光檢測模塊302進行拆卸的固定方式均可應(yīng)用于該實施例中。即,光發(fā)射模塊301與光檢測模塊302可分別從托盤102上拆卸下來,以便更換或維護。
類似地,也可在拋光平臺10下方固接一連接桿,未固接于拋光平臺10底面的連接桿端部伸入窗口101正下方;光發(fā)射模塊301與光檢測模塊302分別以可拆卸的方式固定于該端部的不同面上。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





