[實(shí)用新型]一種提高半導(dǎo)體封裝良率的系統(tǒng)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320564091.2
• 申請日: 2013-09-11
• 公開（公告）號: CN203659817U
• 公開（公告）日: 2014-06-18
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 汪金
• 申請（專利權(quán)）人: 杰群電子科技（東莞）有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 廣州三環(huán)專利代理有限公司 44202
• 代理人: 張帥

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及半導(dǎo)體產(chǎn)品封裝，具體涉及一種提高半導(dǎo)體封裝良率的系統(tǒng)。?

背景技術(shù)

隨著我國集成電路產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展，對半導(dǎo)體封裝技術(shù)的要求也越來越高，這無疑推動了我國半導(dǎo)體封裝技術(shù)的市場發(fā)展，同時也為我國半導(dǎo)體封裝技術(shù)行業(yè)帶來了前所未有的機(jī)遇。?

半導(dǎo)體封裝是指將通過測試的晶圓按照產(chǎn)品的型號及功能需求加工得到獨(dú)立芯片的過程，如圖1，現(xiàn)有的半導(dǎo)體前期封裝系統(tǒng)包括依次對晶圓進(jìn)行加工操作的切晶機(jī)1、焊片機(jī)2、焊線機(jī)3以及將晶圓進(jìn)行注塑成型的注塑機(jī)4，該半導(dǎo)體前期封裝系統(tǒng)容易造成引線框架及芯片表面存在離子污染，同時存在結(jié)合材內(nèi)聚現(xiàn)象。?

申請?zhí)枮?01110087743.3的中國專利公開了名稱為“半導(dǎo)體封裝的粘片工藝”的發(fā)明專利，其半導(dǎo)體封裝的粘片工藝包括以下步驟：a、刷膠，b、切割，c、粘合；在粘合之后還包括加熱烘烤步驟，其步驟a晶圓在刷膠后其接合膠有可能內(nèi)聚而導(dǎo)致連接不良，步驟b切割之后其引線框架及芯片表面會存在污垢，后期會影響半導(dǎo)體封裝的整體外觀。?

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種提高半導(dǎo)體封裝良率的系統(tǒng)，提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝良率，凈化半導(dǎo)體產(chǎn)品中引線框架及芯片的表面。?

為了實(shí)現(xiàn)以上目的，本實(shí)用新型提供一種提高半導(dǎo)體封裝良率的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括按照先后順序?qū)A進(jìn)行加工操作的以下儀器：一用于晶圓進(jìn)行切割?操作的切晶機(jī)，一用于焊接芯片的焊片機(jī)，一用于焊接金屬線的焊線機(jī)以及將晶圓進(jìn)行注塑成型的注塑機(jī)，本實(shí)用新型的改進(jìn)之處在于，該系統(tǒng)還包括離子清洗儀。?

進(jìn)一步的，所述離子清洗儀包括第一離子清洗儀、第二離子清洗儀及第三離子清洗儀，所述第一離子清洗儀、第二離子清洗儀及第三離子清洗儀按先后順序排列，對晶圓進(jìn)行清洗操作。?

進(jìn)一步的，所述第一離子清洗儀連接于所述切晶機(jī)與所述焊片機(jī)之間，所述第二離子清洗儀連接于所述焊片機(jī)與所述焊線機(jī)之間，所述第三離子清洗儀連接于所述焊線機(jī)與所述注塑機(jī)之間。?

本實(shí)用新型提供的一種提高半導(dǎo)體封裝良率的系統(tǒng)，在焊片前等離子清洗儀可以清洗引線框架表面，改善氧化、離子污染和結(jié)合材內(nèi)聚現(xiàn)象，焊線前等離子儀可以清洗芯片和引線框架表面并粗化表面增加焊線摩擦力，注塑成型前等離子清洗儀可以使得半導(dǎo)體避免出現(xiàn)分層現(xiàn)象，從而提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝良率。?

附圖說明

為了更清楚地說明本實(shí)用新型實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本實(shí)用新型的一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。?

圖1為現(xiàn)有半導(dǎo)體前期封裝系統(tǒng)的流程示意圖；?

圖2為本實(shí)用新型提供的一種提高半導(dǎo)體封裝良率的系統(tǒng)的流程示意圖。?

具體實(shí)施方式

本實(shí)用新型提供一種提高半導(dǎo)體封裝良率的系統(tǒng)，提高了半導(dǎo)體產(chǎn)品的封?裝良率，凈化了半導(dǎo)體產(chǎn)品中引線框架及芯片的表面。?

下面將結(jié)合本實(shí)用新型中的附圖，對本實(shí)用新型中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的僅僅是本實(shí)用新型一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本實(shí)用新型中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動的前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本實(shí)用新型保護(hù)的范圍。?

參見圖2為本實(shí)用新型提供的一種提高半導(dǎo)體封裝良率的系統(tǒng)的流程示意圖。本實(shí)用新型提供一種提高半導(dǎo)體封裝良率的系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括按照先后順序?qū)A進(jìn)行加工操作的以下儀器：一用于晶圓進(jìn)行切割操作的切晶機(jī)11，一用于焊接芯片的焊片機(jī)12，所述切晶機(jī)11與所述焊片機(jī)12之間連有第一離子清洗儀21，在焊片前第一離子清洗儀21可以清洗引線框架表面，改善氧化、離子污染和結(jié)合材內(nèi)聚等現(xiàn)象，一用于焊接金屬線的焊線機(jī)13，焊片機(jī)12與所述焊線機(jī)13之間連有第二離子清洗儀22，焊線前第二離子清洗儀22用于清洗芯片和引線框架表面并粗化表面增加焊線摩擦力，將晶圓進(jìn)行注塑成型的注塑機(jī)14，所述焊線機(jī)13與所述注塑機(jī)14之間連有第三離子清洗儀23，注塑成形前第三離子清洗儀23可以使得半導(dǎo)體避免分層現(xiàn)象。?

通過以上描述可知，本實(shí)用新型提供的一種提高半導(dǎo)體封裝良率的系統(tǒng)，在焊片前等離子清洗儀可以清洗引線框架表面，改善氧化、離子污染和結(jié)合材內(nèi)聚現(xiàn)象，焊線前等離子儀可以清洗芯片和引線框架表面并粗化表面增加焊線摩擦力，注塑成型前等離子清洗儀可以使得半導(dǎo)體避免出現(xiàn)分層現(xiàn)象，從而提高半導(dǎo)體產(chǎn)品的封裝良率。?

以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實(shí)施方式對本實(shí)用新型所作的進(jìn)一步詳細(xì)說明，不能認(rèn)定本實(shí)用新型的具體實(shí)施只局限于這些說明。對于本實(shí)用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實(shí)用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。?